[發明專利]半導體存儲器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110205288.2
• 申請日: 2011-07-21
• 公開（公告）號: CN102347334A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 尾崎徹;野口充宏;前川英明;間下浩充;田口尚文;小林和人;向井英史;新田博行
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/768;H01L21/8247
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種半導體存儲器件，包括：

存儲器基元陣列，其包括存儲器串以及選擇晶體管，所述存儲器串包括沿第一方向串聯連接的多個存儲器基元，所述選擇晶體管被連接到所述存儲器串的端部；

多個字線，其被形成為沿與所述第一方向垂直的第二方向延伸，所述多個字線被共同連接到沿所述第二方向設置的所述存儲器基元；以及

選擇柵極線，其被形成為沿所述第二方向延伸，所述選擇柵極線被共同連接到沿所述第二方向設置的所述選擇晶體管，

所述多個字線各自具有沿所述第一方向的第一線寬，所述多個字線被設置為在其間具有第一距離，

所述選擇柵極線包括，

沿所述第一方向的第一互連部分，所述第一互連部分具有大于所述第一線寬的第二線寬，以及

第二互連部分，其從所述第一互連部分的端部延伸，所述第二互連部分具有與所述第一線寬相同的第三線寬。

2.根據權利要求1的半導體存儲器件，其中

鄰近所述選擇柵極線的所述多個字線中的第一字線被設置為具有距所述第二互連部分的第二距離，所述第二距離具有的值是所述第一距離的(4N+1)倍(N為大于等于1的整數)。

3.根據權利要求1的半導體存儲器件，還包括在所述第二互連部分與所述第一字線之間設置的虛設互連，所述虛設互連具有閉合環形狀，所述閉合環形狀具有沿所述第二方向的縱向方向。

4.根據權利要求3的半導體存儲器件，其中

所述第二互連部分和所述多個字線中的每一個包括沿所述第一方向延伸且折疊的折疊互連部分以及在所述折疊互連部分的端部形成的且連接到接觸的接觸連接部分。

5.根據權利要求1的半導體存儲器件，其中

所述多個存儲器基元中的所述第一字線被連接到其的一個存儲器基元為不用于數據存儲的虛設存儲器基元。

6.根據權利要求5的半導體存儲器件，其中

所述第二互連部分和所述字線中的每一個包括沿所述第一方向延伸且折疊的折疊互連部分以及在所述折疊互連部分的端部形成的且連接到接觸的接觸連接部分。

7.根據權利要求6的半導體存儲器件，還包括：

被第一和第二元件隔離區域分隔的多個元件形成區域，所述多個元件形成區域中的每一個第一元件形成區域具有沿所述第一方向的縱向方向，所述存儲器串被形成在所述每一個第一元件形成區域上；

在所述互連區域中形成的所述多個元件形成區域中的第二元件區域，所述第二元件區域鄰近所述第二元件隔離區域；以及

設置在所述第二元件區域上的虛設互連。

8.根據權利要求1的半導體存儲器件，其中

所述第二互連部分和所述多個字線中的每一個包括沿所述第一方向延伸且折疊的折疊互連部分以及在所述折疊互連部分的端部形成的且連接到接觸的接觸連接部分。

9.根據權利要求8的半導體存儲器件，還包括：

被第一和第二元件隔離區域分隔的多個元件形成區域，所述多個元件形成區域中的每一個第一元件形成區域具有沿所述第一方向的縱向方向，所述存儲器串被形成在所述每一個第一元件形成區域上；

在所述互連區域中形成的所述多個元件形成區域中的第二元件區域，所述第二元件區域鄰近所述第二元件隔離區域；以及

設置在所述第二元件區域上的虛設互連。

10.根據權利要求1的半導體存儲器件，其中

所述第二互連部分和鄰近所述第二互連部分的所述多個字線中的每一個包括沿所述第一方向延伸且折疊的折疊互連部分以及在所述折疊互連部分的端部形成的且連接到接觸的接觸連接部分。

11.根據權利要求10的半導體存儲器件，其中

多個所述接觸連接部分沿與所述第一方向垂直的第二方向對準。