[發(fā)明專利]導(dǎo)電體連接用部件、連接結(jié)構(gòu)和太陽(yáng)能電池組件無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110205065.6 | 申請(qǐng)日: | 2008-05-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102332478A | 公開(公告)日: | 2012-01-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 福島直樹;塚越功;清水健博 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日立化成工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;C09J9/02;C09J7/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電 連接 部件 結(jié)構(gòu) 太陽(yáng)能電池 組件 | ||
1.一種連接結(jié)構(gòu),具有:具備在主面的至少一個(gè)面上具有粗化面的金屬箔和在該金屬箔的所述粗化面上形成的粘接劑層的導(dǎo)電體連接用部件,以及導(dǎo)電體;其通過(guò)將所述導(dǎo)電體連接用部件和所述導(dǎo)電體,按照使所述導(dǎo)電體連接用部件的所述粗化面和所述導(dǎo)電體隔著所述粘接劑層而相對(duì)的方式來(lái)配置,并對(duì)它們加熱加壓而獲得,且所述金屬箔和所述導(dǎo)電體被電連接并被粘接,
所述導(dǎo)電體的與所述金屬箔連接的面具有表面粗糙度,
所述導(dǎo)電體的表面粗糙部的突起和所述金屬箔的所述粗化面的突起接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接結(jié)構(gòu),其中,將形成有所述粘接劑層的所述粗化面的最大高度設(shè)為Ry(μm)時(shí),所述粘接劑層的厚度t(μm)為所述Ry的3倍以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接結(jié)構(gòu),其中,所述粘接劑層含有潛伏性固化劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接結(jié)構(gòu),其中,所述粘接劑層含有導(dǎo)電粒子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接結(jié)構(gòu),其中,所述粘接劑層含有導(dǎo)電粒子,
將形成有所述粘接劑層的所述粗化面的最大高度設(shè)為Ry(μm)時(shí),所述導(dǎo)電粒子的平均粒徑D(μm)為所述Ry以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接結(jié)構(gòu),其中,所述粘接劑層含有導(dǎo)電粒子,
將形成有所述粘接劑層的所述粗化面的十點(diǎn)平均粗糙度設(shè)為Rza(μm),將被連接的導(dǎo)電體的與所述粘接劑層相接的面的十點(diǎn)平均粗糙度設(shè)為Rzb(μm)時(shí),所述導(dǎo)電粒子的最大粒徑rmax(μm)小于等于所述Rza與所述Rzb之和。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接結(jié)構(gòu),其中,所述粘接劑層含有潛伏性固化劑和導(dǎo)電粒子,
將形成有所述粘接劑層的所述粗化面的最大高度設(shè)為Ry(μm)時(shí),所述導(dǎo)電粒子的平均粒徑D(μm)為所述Ry以下,且,
將形成有所述粘接劑層的所述粗化面的十點(diǎn)平均粗糙度設(shè)為Rza(μm),將被連接的導(dǎo)電體的與所述粘接劑層相接的面的十點(diǎn)平均粗糙度設(shè)為Rzb(μm)時(shí),所述導(dǎo)電粒子的最大粒徑rmax(μm)小于等于所述Rza與所述Rzb之和。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接結(jié)構(gòu),其中,所述粘接劑層含有潛伏性固化劑,
將形成有所述粘接劑層的所述粗化面的最大高度設(shè)為Ry(μm)時(shí),所述潛伏性固化劑的平均粒徑Dc(μm)為所述Ry以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接結(jié)構(gòu),其中,所述金屬箔為帶狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接結(jié)構(gòu),其中,所述金屬箔是含有從Cu、Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn和Al中選出的1種以上金屬的金屬箔。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接結(jié)構(gòu),其中,所述粗化面的十點(diǎn)平均粗糙度Rza(μm)為30μm以下。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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