[發明專利]MRI用超導磁體的調整方法有效
| 申請號: | 201110204802.0 | 申請日: | 2011-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN102478647A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發明(設計)人: | 田邊肇 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | G01R33/387 | 分類號: | G01R33/387;G01R33/3815 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 張鑫 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mri 超導 磁體 調整 方法 | ||
技術領域
本發明涉及MRI(磁共振成像(magnetic?resonance?imaging))用超導磁體的調整方法。
背景技術
在MRI用超導磁體中,從設計階段起就對拍攝空間內的靜磁場進行了優化,使得拍攝空間內的靜磁場的均勻度達到ppm(百萬分之一)數量級。
在實際制作的MRI用超導磁體中,因各構成零部件的尺寸誤差和組裝誤差等制作誤差而導致靜磁場的均勻度處于幾百至幾千ppm的較低的狀態。因而,作為校正靜磁場的不均勻的技術,進行勻場(shimming)。
作為揭示有能進行勻場的MRI裝置的背景文獻,有日本專利特開2008-220923號公報。在日本專利特開2008-220923號公報所記載的MRI裝置中,通過將鐵片(鐵墊片)配置于所希望的位置,對靜磁場的不均勻性進行校正。
將利用勻場提高了靜磁場的均勻性的MRI裝置運送并設置于醫院等使用場所。由于設置MRI裝置的使用場所的磁場氛圍各不相同,因此,有時會因使用場所的磁場氛圍的影響而導致靜磁場的均勻性受到破壞。因而,作為揭示有減少使用場所的磁場氛圍影響的靜磁場產生裝置的背景文獻,有日本專利特開平02-083904號公報。
在日本專利特開平02-083904號公報所記載的靜磁場產生裝置中,在設置有MRI裝置的地板與MRI裝置之間,鋪設有用于對磁場的均勻度進行補償的磁性板。埋設于地板下的鋼筋和鋼結構等磁性材料會對靜磁場造成較大的影響。在日本專利特開平02-083904號公報所記載的MRI裝置中,通過從出廠階段起就將上述磁性板作為MRI裝置的必要結構要素,來減少因使用場所的地板下環境而對靜磁場所造成的影響。
為了提高使用場所中的MRI裝置的靜磁場的均勻度,配置用于補償磁場均勻性的磁性板和用于勻場的鐵片等磁性體,從而使得因這些磁性板和磁性體之間的相互作用而產生的電磁力作用于MRI用超導磁體。
MRI用超導磁體能通過維持超導狀態來產生較強的穩定靜磁場,但在因上述電磁力的影響而在超導磁體中產生超過允許量的擾亂的情況下,會發生破壞超導狀態的現象即失超。
在一旦發生了失超的條件下,MRI用超導磁體再次發生失超的可能性較低,即呈現出所謂的訓練現象(training?phenomenon)。反過來講,若在初次條件下使MRI用超導磁體工作,則發生失超的可能性較高。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種能降低發生失超的可能性從而提高MRI用超導磁體的穩定性的、MRI用超導磁體的調整方法。
基于本發明的MRI用超導磁體的調整方法,是在將MRI用超導磁體設置于使用場所之前對其進行調整的方法。MRI用超導磁體的調整方法包括:考慮使用場所的磁場氛圍而對MRI用超導磁體進行勻場的工序;在實現使用場所的磁場氛圍的環境下、在進行了勻場的MRI用超導磁體中產生額定磁場的工序;以及在產生額定磁場的工序之后、將MRI用超導磁體設置于使用場所的工序。
根據本發明,能減少發生失超的可能性,從而提高MRI用超導磁體的穩定性。
關于本發明的上述及其他目的、特征、方面及優點,可從以下結合附圖而理解的、與本發明相關的詳細說明來了解。
附圖說明
圖1是表示MRI裝置的外觀的立體圖。
圖2是表示本發明的實施方式1所涉及的MRI用超導磁體的結構的剖視圖。
圖3是表示將該實施方式的MRI用超導磁體設置于使用場所的狀態的側視圖。
圖4是從圖3的IV-IV線箭頭方向來觀察的圖。
圖5是表示該實施方式的MRI用超導磁體中的勻場部的立體圖。
圖6是表示該實施方式的墊片盤和鐵片的分解立體圖。
圖7是示意性地表示在MRI用超導磁體的下方配置有地板屏蔽體的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。
圖8是示意性地表示在圖7的MRI用超導磁體中、在進行了勻場的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。
圖9是示意性地表示在MRI用超導磁體的斜下方配置有地板屏蔽體、在其側面配置有側壁屏蔽體的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。
圖10是示意性地表示在圖9的MRI用超導磁體中、在進行了勻場的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。
圖11是示意性地表示在MRI用超導磁體的斜下方配置有大小不同的地板屏蔽體、在其側面配置有大小不同的側壁屏蔽體的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。
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