[發明專利]MRI用超導磁體的調整方法有效
| 申請號： | 201110204802.0 | 申請日： | 2011-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN102478647A | 公開（公告）日： | 2012-05-30 |
| 發明（設計）人： | 田邊肇 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | G01R33/387 | 分類號： | G01R33/387;G01R33/3815 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 張鑫 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mri 超導 磁體 調整 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種MRI用超導磁體的調整方法，所述MRI用超導磁體的調整方法是在將MRI用超導磁體設置于使用場所之前對其進行調整的方法，
其特征在于，包括：
考慮所述使用場所的磁場氛圍而對所述MRI用超導磁體進行勻場的工序；
在實現所述使用場所的所述磁場氛圍的環境下、在進行了勻場的所述MRI用超導磁體中產生額定磁場的工序；以及
在產生所述額定磁場的所述工序之后、將所述MRI用超導磁體設置于所述使用場所的工序。
2.如權利要求1所述的MRI用超導磁體的調整方法，其特征在于，
在對所述MRI用超導磁體進行勻場的所述工序中，在實現所述使用場所的所述磁場氛圍的環境下，對所述MRI用超導磁體進行勻場。
3.如權利要求1所述的MRI用超導磁體的調整方法，其特征在于，
為了實現所述使用場所的所述磁場氛圍，在所述MRI用超導磁體的周圍配置磁性體，
所述磁性體將以下電磁力作用于產生所述額定磁場的所述MRI用超導磁體：所述電磁力與在所述使用場所的所述磁場氛圍中作用于產生所述額定磁場的所述MRI用超導磁體的電磁力相同。
4.如權利要求1所述的MRI用超導磁體的調整方法，其特征在于，
在產生所述額定磁場的所述工序中，重復產生所述額定磁場，直至所述MRI用超導磁體中不再發生失超。
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