[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110204575.1
• 申請(qǐng)日: 2011-07-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102623460A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳春基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種薄膜晶體管基板，包括：

基板；

活性層以及電容器第一電極，形成于所述基板上；

柵絕緣膜，形成于所述基板、所述活性層以及所述電容器第一電極上；

柵電極以及電容器第二電極，形成于所述柵絕緣膜上，所述柵電極對(duì)應(yīng)于所述活性層，所述電容器第二電極對(duì)應(yīng)于所述電容器第一電極；

層間絕緣膜，形成于所述柵絕緣膜、所述柵電極以及所述電容器第二電極上；以及

像素電極、源電極和漏電極，形成于所述層間絕緣膜上，

其中，所述源電極和漏電極中的至少一個(gè)形成于所述像素電極上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述像素電極直接接觸形成于所述層間絕緣膜上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述漏電極直接接觸形成于所述像素電極上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述源電極直接接觸形成于所述像素電極上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述柵電極和所述電容器第二電極具有彼此不同的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述柵電極包括依次層疊于所述柵絕緣膜上的第一柵電極膜、第二柵電極膜以及第三柵電極膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中，

以與所述第一柵電極膜相同的膜形成所述電容器第二電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板，其中，

以與所述第一柵電極膜相同的厚度形成所述電容器第二電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板，還包括：

焊盤(pán)，形成于所述柵絕緣膜上；

其中，以與所述第一柵絕緣膜相同的膜形成所述焊盤(pán)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述第二柵電極膜以及所述第三柵電極膜的寬度小于所述第一柵電極膜的寬度。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中，

由鈦、鉭或者鉻形成所述第一柵電極膜；

由鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅或者銅合金形成所述第二柵電極膜；

由鉬或者鉬合金形成所述第三柵電極膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述電容器第一電極通過(guò)向多晶硅注入離子雜質(zhì)而形成。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述電容器第二電極包含向所述電容器第一電極注入的所述離子雜質(zhì)。

14.一種薄膜晶體管基板的制造方法，包括：

在基板上形成活性層以及電容器第一電極；

在所述基板、所述活性層以及所述電容器第一電極上形成柵絕緣膜；

在所述柵絕緣膜上形成柵電極以及電容器第二電極；

在所述柵絕緣膜、所述柵電極以及所述電容器第二電極上依次形成層間絕緣膜以及像素電極用導(dǎo)電膜；

蝕刻所述像素電極用導(dǎo)電膜、所述層間絕緣膜以及所述柵絕緣膜的部分區(qū)域，以形成露出所述活性層的部分區(qū)域的接觸孔；

在所述像素電極用導(dǎo)電膜上形成源/漏電極用導(dǎo)電膜；

使用半色調(diào)掩模板在所述源/漏電極用導(dǎo)電膜上形成第一光刻膠圖案；以及

將所述第一光刻膠圖案作為蝕刻掩模板，蝕刻所述源/漏電極用導(dǎo)電膜以及所述像素電極用導(dǎo)電膜，以形成源電極、漏電極以及像素電極。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其中，使用所述半色調(diào)掩模板在所述源/漏電極用導(dǎo)電膜上形成第一光刻膠圖案的步驟，包括：

形成與所述源電極和所述漏電極對(duì)應(yīng)的第一子光刻膠圖案以及與所述像素電極對(duì)應(yīng)的第二子光刻膠圖案。