[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201110204017.5
• 申請日: 2011-07-21
• 公開（公告）號: CN102891185A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 陳建志;林正基;連士進;吳錫垣
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L21/329
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

技術領域

本發明是有關于半導體結構及其制造方法，特別是有關于二極管及其制造方法。

背景技術

半導體結構中的二極管在電子電路中具有廣泛的應用。二極管可用于穩壓并提供電路穩定的電壓。此外，二極管也可用以保護集成電路裝置的電路元件免于極強大電壓的傷害。不過一般的二極管仍有需要改善的問題。舉例來說，切換速度低，而無法達到集成電路裝置的需求，且容易造成電路失效。因此，目前電路的趨勢是往高速切換發展。然而，一般二極管需要大的設計面積，使得單元裝置的微縮化無法有突破性的發展。

發明內容

本發明是有關于半導體結構及其制造方法。本發明的半導體結構中的二極管的切換速度高、開啟電阻低。此外，本發明的二極管能自隔離于其它元件，需要的設計面積小且制造成本低。

本發明提供了一種半導體結構。半導體結構包括二極管。二極管包括第一摻雜區、第二摻雜區與第三摻雜區。第一摻雜區與第三摻雜區具有第一導電型。第二摻雜區具有相反于第一導電型的第二導電型。第二摻雜區與第三摻雜區通過第一摻雜區分開。第三摻雜區具有相鄰近的第一部分與第二部分，分別靠近與遠離第二摻雜區。第一部分的摻雜濃度大于第二部分的摻雜濃度。

本發明還提供了一種半導體結構的制造方法。半導體結構的制造方法包括形成二極管。形成二極管的方法包括以下步驟。在第一摻雜區上形成第二摻雜區。在第一摻雜區上形成第三摻雜區。第一摻雜區與第三摻雜區具有第一導電型。第二摻雜區具有相反于第一導電型的第二導電型。第二摻雜區與第三摻雜區通過第一摻雜區分開。第三摻雜區具有相鄰近的第一部分與第二部分，分別靠近與遠離第二摻雜區。第一部分的摻雜濃度大于第二部分的摻雜濃度。

本發明又提供了一種半導體結構。半導體結構包括二極管。二極管包括第一摻雜區、第二摻雜區與第三摻雜區。第一摻雜區與第三摻雜區具有第一導電型。第二摻雜區具有相反于第一導電型的第二導電型。第二摻雜區與第三摻雜區只通過第一摻雜區分開。

本發明又提供了一種半導體結構的制造方法。半導體結構的制造方法包括形成二極管。形成二極管的方法包括以下步驟。在第一摻雜區上形成第二摻雜區。在第一摻雜區上形成第三摻雜區。第一摻雜區與第三摻雜區具有第一導電型。第二摻雜區具有相反于第一導電型的第二導電型。第二摻雜區與第三摻雜區只通過第一摻雜區分開。

下文特舉優選實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1繪示在一實施例中半導體結構的剖面圖。

圖2繪示在一實施例中半導體結構的上視圖。

圖3顯示實施例的二極管與比較例的二極管的I-V曲線圖。

圖4至圖8繪示一實施例中半導體結構的工藝。

圖9繪示一實施例中半導體結構及其操作方法。

圖10繪示一實施例中半導體結構的剖面圖。

圖11繪示一實施例中半導體結構的剖面圖。

圖12繪示一實施例中半導體結構的剖面圖。

圖13繪示一實施例中半導體結構的剖面圖。

圖14繪示一實施例中半導體結構的剖面圖。

圖15繪示一實施例中半導體結構的剖面圖。

【主要元件符號說明】

2：第一摻雜區；

4、104、204、704：第二摻雜區；

6、106、206、706：第三摻雜區；

8、36、108、136、436、508、536、608、636、846、850、860：阱區；

10、110、710：頂層；

12、112、712：第一次層；

14、114、714：第二次層；

16、18、20：邊緣；

22：第一部分；

24：第一部分；

26、126、326：介電隔離結構；

28、128：襯底；

30、130：外延層；

32、432：摻雜隔離結構；

34、134、434、848：埋藏層；

138：層間介電層；

140：導電層；

142：導電插塞；

744：介電隔離結構；

852、854、856：重摻雜區；

858：柵極結構；

D：元件區；

HA：高側區域；

L1：邊長。

具體實施方式