[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110204017.5
• 申請日: 2011-07-21
• 公開（公告）號: CN102891185A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳建志;林正基;連士進;吳錫垣
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L21/329
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一二極管，其中該二極管包括：

一第一摻雜區(qū)，具有一第一導(dǎo)電型；

一第二摻雜區(qū)，具有相反于該第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型；以及

一第三摻雜區(qū)，具有該第一導(dǎo)電型；

其中該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)通過該第一摻雜區(qū)分開，該第三摻雜區(qū)具有相鄰近的一第一部分與一第二部分，該第一部分與該第二部分分別靠近與遠離該第二摻雜區(qū)，該第一部分的摻雜濃度大于該第二部分的摻雜濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)只通過該第一摻雜區(qū)分開。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一摻雜區(qū)包括一頂層，該頂層的一邊緣位于該第三摻雜區(qū)的相對的邊緣之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一摻雜區(qū)包括一頂層，該頂層包括一第一次層與一第二次層，該第一次層位于該第二次層上，該第一次層的摻雜濃度大于該第二次層的摻雜濃度。

5.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括形成一二極管，形成該二極管的方法包括：

在一第一摻雜區(qū)上形成一第二摻雜區(qū)；以及

在該第一摻雜區(qū)上形成一第三摻雜區(qū)，

其中該第一摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)具有一第一導(dǎo)電型，該第二摻雜區(qū)具有相反于該第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型，該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)通過該第一摻雜區(qū)分開，該第三摻雜區(qū)具有相鄰近的一第一部分與一第二部分，該第一部分與該第二部分分別靠近與遠離該第二摻雜區(qū)，該第一部分的摻雜濃度大于該第二部分的摻雜濃度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一摻雜區(qū)包括一頂層與一阱區(qū)，該頂層的形成方法包括摻雜該阱區(qū)的一頂部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第三摻雜區(qū)的形成方法包括摻雜互相鄰接的該頂層的一頂部分與該阱區(qū)的一頂部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該二極管的方法包括形成一介電隔離結(jié)構(gòu)于該阱區(qū)上，其中該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)通過該介電隔離結(jié)構(gòu)分開，該頂層在該介電隔離結(jié)構(gòu)之后形成。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一二極管，該二極管包括：

一第一摻雜區(qū)，具有一第一導(dǎo)電型；

一第二摻雜區(qū)，具有相反于該第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型；以及

一第三摻雜區(qū)，具有該第一導(dǎo)電型；

其中該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)只通過該第一摻雜區(qū)分開。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括形成一二極管，形成該二極管的方法包括：

在一第一摻雜區(qū)上形成一第二摻雜區(qū)；以及

在該第一摻雜區(qū)上形成一第三摻雜區(qū)，

其中該第一摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)具有一第一導(dǎo)電型，該第二摻雜區(qū)具有相反于該第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型，該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)只通過該第一摻雜區(qū)分開。