[發(fā)明專利]一種藍(lán)延伸變帶隙AlGaAs/GaAs光電陰極及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110202343.2
• 申請日: 2011-07-19
• 公開（公告）號: CN102306600A
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒繼軍;常本康;張益軍;金解云;鄧文娟;彭新村
• 申請（專利權(quán)）人: 東華理工大學(xué)
• 主分類號: H01J29/04
• 分類號: H01J29/04;H01J9/02
• 代理公司: 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.?一種藍(lán)延伸變帶隙AlGaAs/GaAs光電陰極，該陰極由9741玻璃、SiO₂鈍化層、Si₃N₄增透膜、變帶隙Al_xGa_1-xAs緩沖層、GaAs發(fā)射層以及Cs/O激活層組成，其特征在于：所述變帶隙Al_xGa_1-xAs緩沖層，厚度為1~2μm，p型摻雜濃度(5~10)×10¹⁸cm^-3，Al_xGa_1-xAs層Al組分由Si₃N₄增透膜往GaAs發(fā)射層方向由最大0.4~0.7線性下降到零。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)延伸變帶隙AlGaAs/GaAs光電陰極，其特征在于：所述Si₃N₄增透膜的厚度為60~100nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)延伸變帶隙AlGaAs/GaAs光電陰極，其特征在于：所述GaAs發(fā)射層的p型摻雜濃度優(yōu)先為1×10¹⁹cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的藍(lán)延伸變帶隙AlGaAs/GaAs光電陰極，其特征在于：所述GaAs發(fā)射層的厚度為1~2μm。

5.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)延伸變帶隙AlGaAs/GaAs光電陰極的制備方法，其特征在于：該方法按以下步驟依次進(jìn)行，

步驟（1），準(zhǔn)備GaAs襯底，GaAs襯底作“籽晶”要求其位錯密度低于10³cm^-3，并且均勻性好，晶向朝（100）面偏3o切割；利用金屬有機(jī)化合物氣相沉積法（MOCVD）在GaAs襯底上順序生長AlGaAs阻擋層，GaAs發(fā)射層和變帶隙Al_xGa_1-xAs緩沖層；

步驟（2），在變帶隙Al_xGa_1-xAs緩沖層上用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）沉積一層Si₃N₄增透膜，然后再沉積一層SiO₂鈍化層，通過熱壓合，將該SiO₂鈍化層與9741玻璃粘接；

步驟（3），用選擇性化學(xué)腐蝕法將GaAs襯底和AlGaAs阻擋層去除，裸露GaAs發(fā)射層；

步驟（4），在超高真空系統(tǒng)中進(jìn)行Cs/O激活，在GaAs發(fā)射層上形成一層Cs/O激活層。