[發(fā)明專利]一種石墨涂層的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110202178.0 | 申請(qǐng)日： | 2011-07-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102888636A | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂旺燕;曾潮流 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院金屬研究所 |
| 主分類號(hào)： | C25D9/08 | 分類號(hào)： | C25D9/08 |
| 代理公司： | 沈陽晨創(chuàng)科技專利代理有限責(zé)任公司 21001 | 代理人： | 張晨 |
| 地址： | 110015 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 石墨 涂層 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.?一種石墨涂層的制備方法，其特征在于：在金屬基體表面采用熔鹽電沉積的方法制備石墨涂層。
2.按照權(quán)利要求1所述石墨涂層的制備方法，其特征在于：在800℃-950℃溫度條件下，碳酸鹽與鹵化鹽的混合熔鹽中，通過恒電流或恒電位陰極還原碳酸根離子制備高結(jié)晶度石墨涂層，其中各種鹽的配比必須保證混合鹽的熔點(diǎn)低于電沉積溫度。
3.按照權(quán)利要求1所述石墨涂層的制備方法，其特征在于：預(yù)先在金屬基體表面沉積多弧離子鍍鉻層或鍍鈦層。
4.按照權(quán)利要求2所述石墨涂層的制備方法，其特征在于：所述恒電流電沉積電流密度為50~300mA/cm2，恒電位電沉積電壓為1.8~4V。
5.按照權(quán)利要求1所述石墨涂層的制備方法，其特征在于：石墨涂層的厚度通過控制沉積時(shí)間控制。
6.按照權(quán)利要求1所述石墨涂層的制備方法，其特征在于：在制備過程中，通入氬氣保護(hù)。
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