[發(fā)明專利]發(fā)光器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110201206.7
• 申請(qǐng)日: 2011-07-12
• 公開（公告）號(hào): CN102332520A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹賢敬;權(quán)豪基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2010年7月12日提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2010-0067115的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用結(jié)合在此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種發(fā)光器件和照明系統(tǒng)。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)是用于將電能轉(zhuǎn)換為光的半導(dǎo)體元件。與諸如熒光燈和白熾電燈等的現(xiàn)有的光源相比較，LED具有低功率消耗、半永久性壽命跨度、快速響應(yīng)速度、安全、以及環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。為此，許多的研究專注于利用LED來置換現(xiàn)有光源。LED現(xiàn)在日益用作用于例如用于室內(nèi)和室外的各種燈、液晶顯示器件、電標(biāo)識(shí)牌、以及街燈等的照明器件的光源。

發(fā)明內(nèi)容

一個(gè)實(shí)施例是發(fā)光器件。發(fā)光器件包括：

導(dǎo)電支撐構(gòu)件；

第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層設(shè)置在導(dǎo)電支撐構(gòu)件上；

第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層設(shè)置在第一導(dǎo)電層上；

發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：設(shè)置在第二導(dǎo)電層上的第一半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電層之間的第二半導(dǎo)體層、以及設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間的有源層；以及

絕緣層，該絕緣層設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間，

其中，第一導(dǎo)電層包括穿透第二導(dǎo)電層、第二半導(dǎo)體層以及有源層的第一擴(kuò)展部分，并且包括從第一擴(kuò)展部分延伸并且設(shè)置在第一半導(dǎo)體層中的第二擴(kuò)展部分，

其中，絕緣層設(shè)置在第一擴(kuò)展部分的側(cè)表面上，以及

其中，第二擴(kuò)展部分的側(cè)表面接觸第一半導(dǎo)體層。

另一實(shí)施例是發(fā)光器件。發(fā)光器件包括：

導(dǎo)電支撐構(gòu)件；

第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層設(shè)置在導(dǎo)電支撐構(gòu)件上；

第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層設(shè)置在第一導(dǎo)電層上；

發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：設(shè)置在第二導(dǎo)電層上的第一半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電層之間的第二半導(dǎo)體層、以及設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間的有源層；以及

絕緣層，該絕緣層設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間，

其中，第一導(dǎo)電層包括穿透第二導(dǎo)電層、第二半導(dǎo)體層以及有源層的導(dǎo)電通孔并且設(shè)置在第一半導(dǎo)體層中，

其中，絕緣層設(shè)置在導(dǎo)電通孔的側(cè)表面上，以及

其中，導(dǎo)電通孔的高度大于設(shè)置在導(dǎo)電通孔的側(cè)表面上的絕緣層的高度。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)本公開實(shí)施例的發(fā)光器件的截面視圖。

圖2A是示出根據(jù)本公開實(shí)施例的發(fā)光器件的頂表面視圖。

圖2B是示出沿著圖2A的線A-A’截取的發(fā)光器件的截面視圖。

圖2C是詳細(xì)示出圖2B的區(qū)域“B”的視圖。

圖2D是示出圖2B中所示的發(fā)光器件的另一實(shí)施例的截面視圖。

圖3A至圖3K是示出根據(jù)本公開實(shí)施例的制造發(fā)光器件的方法的視圖。

圖4是示意性地示出發(fā)光器件封裝的視圖。

圖5是示出根據(jù)本公開實(shí)施例的包括發(fā)光器件封裝的背光單元的視圖。

圖6是示出包括圖4中所示的發(fā)光器件封裝的照明系統(tǒng)1500的透視圖。

具體實(shí)施方式

在附圖中，僅僅為了描述的方便和清楚，每個(gè)層的厚度或者尺寸可以放大、省略或者示意性地示出。各個(gè)組件的尺寸可以不必要地表示它的實(shí)際尺寸。

此外，當(dāng)元件稱為是在另一元件“上”或者“下”時(shí)，它可以直接地在元件上/下，或者也可以存在一個(gè)或者多個(gè)插入元件。當(dāng)元件稱為是在“上”或者“下”時(shí)，可以基于元件包括“在元件下”以及“在元件上”。

在下文中，將會(huì)參考附圖來詳細(xì)地描述本公開實(shí)施例。

[發(fā)光器件]

圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的包括通孔電極的垂直型發(fā)光器件200的截面的視圖。

在下文中，為了描述的方便，假定通過導(dǎo)電通孔220a、220b以及220c電連接到n型導(dǎo)電層220的半導(dǎo)體層270是n型半導(dǎo)體層，并且形成在p型導(dǎo)電層240和有源層260之間的半導(dǎo)體層250是p型半導(dǎo)體層。

在圖1中所示的發(fā)光器件中，導(dǎo)電通孔220a、220b以及220c形成為從n型導(dǎo)電層220穿透p型導(dǎo)電層240、p型半導(dǎo)體層250以及有源層260，并且延伸到n型半導(dǎo)體層270的特定區(qū)域。圖1中所示的發(fā)光器件200的結(jié)構(gòu)提供優(yōu)秀的光提取效率，因?yàn)橥ㄟ^電極沒有阻擋實(shí)際上發(fā)射光的n型半導(dǎo)體層270的頂表面。

圖2A是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件300的頂表面的視圖。圖2B是示出沿著圖2A的線A-A’截取的發(fā)光器件300的截面的視圖。圖2C是示出圖2B的區(qū)域“B”的放大圖。