[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201110201206.7
• 申請日: 2011-07-12
• 公開（公告）號: CN102332520A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 曹賢敬;權豪基
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

1.一種發光器件，包括：

導電支撐構件；

第一導電層，所述第一導電層設置在所述導電支撐構件上；

第二導電層，所述第二導電層設置在所述第一導電層上；

發光結構，所述發光結構包括：設置在所述第二導電層上的第一半導體層、設置在所述第一半導體層和所述第二導電層之間的第二半導體層、以及設置在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的有源層；以及

絕緣層，所述絕緣層設置在所述第一導電層和所述第二導電層之間，

其中，所述第一導電層包括穿透所述第二導電層、所述第二半導體層以及所述有源層的第一擴展部分，并且包括從所述第一擴展部分延伸且設置在所述第一半導體層中的第二擴展部分，

其中，所述絕緣層設置在所述第一擴展部分的側表面上，以及

其中，所述第二擴展部分的側表面接觸所述第一半導體層。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第二擴展部分的頂表面具有粗糙表面。

3.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中，所述第二擴展部分的底表面的面積大于所述第一擴展部分的頂表面的面積。

4.根據權利要求3所述的發光器件，其中，所述第二擴展部分的底表面與所述第一擴展部分的頂表面的面積比是從1至1.4。

5.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中，所述第二擴展部分的寬度等于或大于所述第一擴展部分的寬度。

6.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中，設置在所述第一擴展部分的側表面上的所述絕緣層的厚度等于或大于200nm并且等于或小于1000nm。

7.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中，所述絕緣層設置在所述第二擴展部分的側表面的一部分上。

8.一種發光器件，包括：

導電支撐構件；

第一導電層，所述第一導電層設置在所述導電支撐構件上；

第二導電層，所述第二導電層設置在所述第一導電層上；

發光結構，所述發光結構包括：設置在所述第二導電層上的第一半導體層、設置在所述第一半導體層和所述第二導電層之間的第二半導體層、以及設置在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的有源層；以及

絕緣層，所述絕緣層設置在所述第一導電層和所述第二導電層之間，

其中，所述第一導電層包括導電通孔，所述導電通孔穿透所述第二導電層、所述第二半導體層以及所述有源層并且設置在所述第一半導體層中，

其中，所述絕緣層設置在所述導電通孔的側表面上，以及

其中，所述導電通孔的高度大于設置在所述導電通孔的側表面上的絕緣層的高度。

9.根據權利要求8所述的發光器件，其中，所述導電通孔的頂表面具有粗糙表面。

10.根據權利要求8或9所述的發光器件，其中，所述導電通孔的底表面與所述導電通孔的頂表面的面積比是從1至2.5。

11.根據權利要求8或9所述的發光器件，其中，設置在所述導電通孔的側表面上的所述絕緣層的厚度等于或大于200nm并且等于或小于1000nm。

12.根據權利要求1、2、8以及9中的任何一項所述的發光器件，其中，所述第二導電層包括向外暴露的一個區域，并且進一步包括設置在暴露區域上的電極焊盤。

13.根據權利要求12所述的發光器件，其中，所述暴露區域設置在所述發光器件的角部。

14.根據權利要求1、2、8以及9中的任何一項所述的發光器件，包括：

鈍化層，所述鈍化層設置在所述發光結構的側表面上。

15.根據權利要求1、2、8以及9中的任何一項所述的發光器件，其中，所述第一半導體層的頂表面具有粗糙表面。

16.根據權利要求1、2、8以及9中的任何一項所述的發光器件，其中，所述第二導電層包括反射層和歐姆層中的至少一種。

17.根據權利要求1、2、8以及9中的任何一項所述的發光器件，其中，所述第二導電層包括Ag、Al、Pt、Ni、Pd、Au、Ir以及透明導電氧化物中的至少一種，并且其中所述透明導電氧化物包括ITO和GZO中的一種。