[發明專利]在玻璃基板上制備膜層的方法及其玻璃基板、膜系結構

無效

• 申請號: 201110199271.0
• 申請日: 2011-07-15
• 公開（公告）號: CN102351438A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 徐日宏;詹達勇;郭永飛;羅高軍
• 申請（專利權）人: 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36;C03C17/22;B32B9/04;B32B17/00
• 代理公司: 深圳市維邦知識產權事務所 44269
• 代理人: 黃莉

1.?一種在玻璃基板上制備膜層的方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板單面或雙面采用磁控濺射法生成抗反射增透混合膜層，該抗反射增透混合膜層為低折射率膜層與高折射率膜層的層疊結構；

采用磁控濺射法在所述抗反射增透混合膜層另一面生成氮化碳化合物膜層。

2.?如權利要求1所述的在玻璃基板上制備膜層的的方法，其特征在于，所述低折射率膜層為二氧化硅膜層，所述高折射率膜層為五氧化二鈮膜層或二氧化鈦膜層，所述氮化碳化合物膜層為CNx膜層。

3.?如權利要求2所述的在玻璃基板上制備膜層的方法，其特征在于，所述玻璃基板上依次設置有第一五氧化二鈮膜層、第一二氧化硅膜層、第二五氧化二鈮膜層、第二二氧化硅膜層及CNx膜層。

4.?如權利要求3所述的在玻璃基板上制備膜層的方法，其特征在于，所述氮化碳化合物膜層的生成條件包括：真空度5.0E-3的高真空條件、100-160攝氏度的玻璃基板溫度、石墨靶直流電源、500-900瓦低濺射功率，以氬氣與氮氣作為主要工作氣體其比例根據真空設備配置情況不同調節。

5.?如權利要求3所述的在玻璃基板上制備膜層的方法，其特征在于，所述二氧化硅膜層、五氧化二鈮膜層或二氧化鈦膜層的生成條件包括：真空度5.0E-3的高真空條件、100-160攝氏度的玻璃基板溫度、采用中頻電源、500-900瓦低濺射功率，以氬氣與氧氣作為主要工作氣體其比例根據真空設備配置情況不同調節。

6.?一種在玻璃基板上制備膜層的方法，其特征在于，包括：在玻璃基板單面或雙面采用磁控濺射法生成氮化碳化合物膜層。

7.?一種膜系結構，其特征在于，包括抗反射增透混合膜層，以及生成于該抗反射增透膜層一面的氮化碳化合物膜層，所述抗反射增透混合膜層為低折射率膜層與高折射率膜層的層疊結構。

8.?一種鍍有膜層的玻璃基板，其特征在于，包括玻璃基板、采用磁控濺射法生成于該玻璃基板單面或雙面的抗反射增透混合膜層，以及采用磁控濺射法在所述抗反射增透混合膜層另一面生成氮化碳化合物膜層，其中，所述抗反射增透混合膜層為低折射率膜層與高折射率膜層的層疊結構。

9.?如權利要求8所述的鍍有膜層的玻璃基板，其特征在于，所述低折射率膜層為二氧化硅膜層，所述高折射率膜層為五氧化二鈮膜層或二氧化鈦膜層，所述氮化碳化合物膜層為CNx膜層。

10.?一種鍍有膜層的玻璃基板，其特征在于，包括玻璃基板、采用磁控濺射法生成于該玻璃基板單面或雙面的氮化碳化合物膜層。