[發明專利]發光二極管封裝結構的制造方法

無效

• 申請號: 201110198809.6
• 申請日: 2011-07-15
• 公開（公告）號: CN102881779A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 陳濱全
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟：

提供一基板；

鋪設一粘貼層于該基板上；

形成若干對金屬層于粘貼層上；

于粘貼層上形成反射層，該反射層設有若干凹槽以分別環繞每一對金屬層，該粘貼層對基板的結合力大于該粘貼層對反射層的結合力；

將發光二極管芯片分別置于凹槽內，且與凹槽內對應的金屬層形成電連接；

形成封裝層于凹槽內，以覆蓋發光二極管芯片于封裝層以內；

將所述基板連同粘貼層與位于該粘貼層上的所述反射層和金屬層分離。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：還包括在形成若干金屬層之前設置一阻隔層于粘貼層上的步驟，該阻隔層不連續的分布于粘貼層上。

3.如權利要求2所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：該阻隔層包括若干穿孔，所述穿孔成對設置，所述金屬層分別形成于所述穿孔中。

4.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：還包括在形成若干金屬層之后去除該阻隔層的步驟。

5.如權利要求2所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：該阻隔層采用光致抗蝕劑材料利用微影或黃光制程的方式形成。

6.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：所述基板連同粘貼層與位于該粘貼層上的所述反射層和金屬層是采用機械剝離的方式進行分離。

7.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：該粘貼層采用導電材料制成，所述金屬層通過電鍍的方式形成于該粘貼層上，所述金屬層與粘貼層的結合面積小于反射層與粘貼層的結合面積。

8.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：該基板采用金屬材料制成，該反射層采用PPA樹脂材料制成，該粘貼層對金屬的結合力大于對PPA樹脂的結合力。

9.如權利要求8所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：所述粘貼層采用導電塑料或導電橡膠材料制成。

10.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：還包括在將該基板連同粘貼層與位于粘貼層上該金屬層和反射層分離后對進行切割的步驟，以得到單個發光二極管封裝結構，每個發光二極管封裝結構包含至少一發光二極管芯片。