[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110198474.8 | 申請日: | 2011-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN102881812A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林新強;陳濱全 | 申請(專利權)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62;H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光二極管 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術
相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源,發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode,LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優(yōu)點,其作為一種新型的發(fā)光源,已經(jīng)被越來越多地應用到各領域當中,如路燈、交通燈、信號燈、射燈及裝飾燈等。
通常情況下,需要對發(fā)光二極管芯片進行封裝,以使發(fā)光二極管芯片具有較高的發(fā)光效率及較長的使用壽命。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常使用基板作為封裝襯底,兩個電極間隔設置于該基板上,且該發(fā)光二極管芯片與該電極打線連接,如此使得該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的組裝較為復雜,另外,兩個電極往往通過電鍍后再蝕刻的方式形成在基板上,亦導致整個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制程較為復雜。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明旨在提供一種組裝方便的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包括一電極部,該電極部包括彼此分離的第一電極和第二電極,該第一電極和第二電極之間形成有一收容槽,該收容槽包括相對的兩端,該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括一基板及設置于該基板上的發(fā)光二極管芯片,該基板包括彼此分離用于與該發(fā)光二極管芯片電連接的第一連接電極和第二連接電極,該基板能夠自該收容槽的一端插入進而收容至該收容槽中,從而使該第一連接電極與該第一電極電連接,該第二連接電極與該第二電極電連接。
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,包括以下步驟:提供一基板,該基板包括底板,自該底板中部向上延伸的支撐部,以及自該支撐部頂端延伸至該底板的第一連接電極和第二連接電極,該第一連接電極和第二連接電極彼此分離設置,該底板和支撐部由絕緣且高熱傳導性的材料制成;在該基板的支撐部上設置發(fā)光二極管芯片,該發(fā)光二極管芯片與該第一連接電極和第二連接電極分別形成電連接;提供一封裝體,該封裝體包括電極部和形成于該電極部上的反射層,該電極部包括第一電極和第二電極,該第一電極和第二電極之間具有一收容槽,該反射層形成于該電極部的上端且具有一與收容槽連通的凹杯;將該基板收容于該封裝體的收容槽中,從而使該第一連接電極與該第一電極形成電連接,該第二連接電極與該第二電極形成電連接,該發(fā)光二極管芯片位于凹杯的底部;以及在該凹杯內(nèi)形成封裝層用以密封該發(fā)光二極管芯片。
本發(fā)明通過提供一基板和一電極部,基板具有相互絕緣的第一連接電極和第二連接電極,電極部具有相互分離且絕緣的第一電極和第二電極,且第一電極和第二電極之間具有一收容槽,通過將基板收容至電極部的收容槽內(nèi),從而使基板的第一連接電極和第二連接電極分別與電極部的第一電極和第二電極形成接觸電連接,如此,可使制程簡單,組裝方便。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖2為圖1沿水平中線的剖面示意圖。
圖3為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟一所提供的基板的剖面示意圖。
圖4為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟一所提供的基板的俯視示意圖。
圖5為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟二所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖6為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟二所得到的封裝結(jié)構(gòu)在發(fā)光二極管芯片上設置螢光粉層后的剖面示意圖。
圖7為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三所提供的封裝體的剖面示意圖。
圖8為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三所提供的封裝體的俯視示意圖。
圖9為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟四的組裝示意圖。
圖10為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟四所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖11為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟五所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
主要元件符號說明
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