[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201110198474.8
• 申請日: 2011-07-15
• 公開（公告）號: CN102881812A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 林新強;陳濱全
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管封裝結構，包括一電極部，該電極部包括彼此分離的第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極之間形成有一收容槽，該收容槽包括相對的兩端，其特征在于：該發光二極管封裝結構還包括一基板及設置于該基板上的發光二極管芯片，該基板包括彼此分離用于與該發光二極管芯片電連接的第一連接電極和第二連接電極，該基板能夠自該收容槽的一端插入進而收容至該收容槽中，從而使該第一連接電極與該第一電極電連接，該第二連接電極與該第二電極電連接。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該基板包括一底板，自該底板中部向上延伸的支撐部，以及圍繞該支撐部的連接部，該第一連接電極和第二連接電極分別自該支撐部頂端的兩側延伸至連接部。

3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該發光二極管封裝結構還包括設置于該第一電極和第二電極上且圍設發光二極管芯片的反射層。

4.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該發光二極管封裝結構還包括設置在該反射層中以密封發光二極管芯片的封裝層。

5.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該發光二極管芯片利用覆晶的方式與該第一連接電極和第二連接電極分別形成電連接。

6.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該第一電極的頂端與該第一連接電極的頂端平齊，該第二電極的頂端與該第二連接電極的頂端平齊。

7.一種發光二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟：

提供一基板，該基板包括底板，自該底板中部向上延伸的支撐部，以及自該支撐部頂端延伸至該底板的第一連接電極和第二連接電極，該第一連接電極和第二連接電極彼此分離設置，該底板和支撐部由絕緣且高熱傳導性的材料制成；

在該基板的支撐部上設置發光二極管芯片，該發光二極管芯片與該第一連接電極和第二連接電極分別形成電連接；

提供一封裝體，該封裝體包括電極部和形成于該電極部上的反射層，該電極部包括第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極之間具有一收容槽，該反射層形成于該電極部的上端且具有一與收容槽連通的凹杯；

將該基板收容于該封裝體的收容槽中，從而使該第一連接電極與該第一電極形成電連接，該第二連接電極與該第二電極形成電連接，該發光二極管芯片位于凹杯的底部；以及

在該凹杯內形成封裝層用以密封該發光二極管芯片。

8.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：該發光二極管芯片利用覆晶的方式與該第一連接電極和第二連接電極分別形成電連接。

9.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：該發光二極管芯片上設置一螢光粉層。