[發明專利]發光二極管晶粒模塊、其封裝方法及其移取治具

有效

• 申請號: 201110198197.0
• 申請日: 2011-07-15
• 公開（公告）號: CN102244164A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 洪瑞華;洪志欣;邵世豐;劉恒
• 申請（專利權）人: 財團法人成大研究發展基金會;柏光照明股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/54
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

技術領域

本發明是有關于一種發光元件的封裝方法及其治具，且特別是有關于一種發光二極管晶粒模塊的封裝方法及其移取治具(fixture)。

背景技術

現今發光二極管晶粒的封裝方法，大致與一般晶粒封裝相似。圖1即繪示一現有的發光二極管晶粒模塊的剖視圖。

請參照圖1，在進行發光二極管晶粒100的封裝時，首先點覆銀膠11(glue)于預制的封裝座12中。接著，將貼附在藍膠(blue?tape)上并裁切成多個發光二極管晶粒100的晶圓，逐粒以真空吸附方式將每一發光二極管晶粒100自藍膠上取下后，并趁銀膠11未干固前依序置入點覆有銀膠11的封裝座12中，以利用銀膠11沾附住發光二極管晶粒100。之后，再進行烘烤令銀膠11固化，使發光二極管晶粒100借銀膠11固著于封裝座12上，制得如圖1所示的發光二極管晶粒模塊1。然后，再進行例如打線、填注光學膠、切割等過程，而制得發光二極管光源模塊(未繪示)。

上述工藝本身并無太大的缺陷而適用于業界量產發光二極管晶粒模塊1。然而，對所制作出的發光二極管晶粒模塊1而言，因為預先產得的封裝座12本身存在機械加工之限制，以致無法隨發光二極管晶粒100的大小而縮減體積，產生封裝座12與晶粒100不匹配之情形，所以存在有體積仍嫌過大的問題。

有鑒于此，專利檔第096141685號即提出一種新的發光二極管封裝技術，以解決上述問題。從而可將封裝制得的發光二極管晶粒模塊體積有效縮減，并同時改善發光亮度的問題。

然而，該技術于實際導入量產時，光刻膠是作為犧牲層的較佳選擇之一，但因光刻膠涂布后會逐漸干固，所以在逐粒將多個發光二極管晶粒嵌置入涂布的光刻膠(即犧牲層)的過程中，會發生無法及時在光刻膠干固前將所有的發光二極管晶粒逐粒嵌置于涂布的光刻膠中的問題，進而造成實際上量產的困難。

發明內容

本發明提供一種發光二極管晶粒模塊的封裝方法，其可實際量產發光二極管晶粒模塊。

本發明提供一種移取治具，其適于在發光二極管晶粒模塊封裝方法中，同步移取多個發光二極管晶粒。

本發明提供一種發光二極管晶粒模塊的封裝方法，其適于量產多個發光二極管晶粒模塊。每一發光二極管晶粒模塊包括至少一發光二極管晶粒。所述封裝方法包括一配置犧牲層步驟、一同步配置晶粒步驟、一定義成型步驟、一蝕刻步驟。配置犧牲層步驟是在一基板上，配置一第一犧牲層。同步配置晶粒步驟是在第一犧牲層尚未固化前，同步配置發光二極管晶粒于第一犧牲層中。定義成型步驟是在固化的第一犧牲層上，以一第一材料、一第二犧牲層以及一第二材料形成一支撐基層，其中第二犧牲層定義一模塊圖像，而支撐基層包括第一材料及第二材料。蝕刻步驟是移除第一犧牲層及模塊圖像，以得到發光二極管晶粒模塊，其中每一發光二極管晶粒模塊包括對應的支撐基層。

在本發明的一實施例中，在涂布犧牲層步驟中，第一犧牲層的厚度不大于發光二極管晶粒的高度。

在本發明的一實施例中，在同步配置晶粒步驟之前，上述的封裝方法更包括一排置晶粒步驟以及一移取晶粒步驟。排置晶粒步驟是將發光二極管晶粒置入一移取治具的一承載盤中對應的容放位置。移取晶粒步驟為同步且對應地移取置放于承載盤中的發光二極管晶粒。

在本發明的一實施例中，在排置晶粒步驟中，以真空吸附、黏性貼附、磁性貼附、夾取或卡合方式，逐粒將每一發光二極管晶粒自一貼附在藍膠上且包括發光二極管晶粒的晶圓上取下，并依序且一對一地將發光二極管晶粒置入承載盤中呈陣列排列的容放位置。

在本發明的一實施例中，上述的移取治具包括多個吸頭。在移取晶粒步驟中，通過移取治具的吸頭，以真空吸取方式，同步且一對一地吸取置放于承載盤中的發光二極管晶粒。

在本發明的一實施例中，在同步配置晶粒步驟之后，上述的封裝方法更包括一固著晶粒步驟。固著晶粒步驟是令第一犧牲層固化，以使發光二極管晶粒固著。

在本發明的一實施例中，上述的定義成型步驟包括如下步驟。在固化的第一犧牲層上，以第一材料形成一反射鏡膜。以第二犧牲層在反射鏡膜上定義模塊圖像，形成多個獨立且裸露區域。以第二材料分別在獨立且裸露區域上形成一基底，其中每一基底所對應的反射鏡膜的區域為一反射鏡，而反射鏡與基底共同形成支撐基層。

在本發明的一實施例中，上述的定義成型步驟包括如下步驟。在固化的第一犧牲層上，以第二犧牲層定義模塊圖像，形成多個獨立且裸露區域。依序以第一材料與第二材料分別在獨立且裸露區域上形成一反射鏡和一基底，其中反射鏡與基底共同形成支撐基層。