[發(fā)明專利]發(fā)光二極管晶粒模塊、其封裝方法及其移取治具

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110198197.0
• 申請日: 2011-07-15
• 公開（公告）號: CN102244164A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪瑞華;洪志欣;邵世豐;劉恒
• 申請（專利權(quán)）人: 財團法人成大研究發(fā)展基金會;柏光照明股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/54
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，適于量產(chǎn)多個發(fā)光二極管晶粒模塊，每一發(fā)光二極管晶粒模塊包括至少一發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，該封裝方法包括：

一配置犧牲層步驟：在一基板上，配置一第一犧牲層；

一同步配置晶粒步驟：在該第一犧牲層尚未固化前，同步配置該些發(fā)光二極管晶粒于該第一犧牲層中；

一定義成型步驟：在固化的該第一犧牲層上，以一第一材料、一第二犧牲層以及一第二材料形成一支撐基層，其中該第二犧牲層定義一模塊圖像，該支撐基層包括該第一材料及該第二材料；以及

一蝕刻步驟：移除該第一犧牲層及該模塊圖像，以得到該些發(fā)光二極管晶粒模塊，其中每一發(fā)光二極管晶粒模塊包括對應(yīng)的該支撐基層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，其特征在于，在該涂布犧牲層步驟中，該第一犧牲層的厚度不大于該些發(fā)光二極管晶粒的高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，其特征在于，在該同步配置晶粒步驟之前，該封裝方法更包括：

一排置晶粒步驟：將該些發(fā)光二極管晶粒置入一移取治具的一承載盤中對應(yīng)的容放位置；以及

一移取晶粒步驟：同步且對應(yīng)地移取置放于該承載盤中的該些發(fā)光二極管晶粒。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，其特征在于，在該排置晶粒步驟中，是以真空吸附、黏性貼附、磁性貼附、夾取或卡合方式，逐粒將每一發(fā)光二極管晶粒自一貼附在藍膠上且包括該些發(fā)光二極管晶粒的晶圓上取下，并依序且一對一地將該些發(fā)光二極管晶粒置入該承載盤中呈陣列排列的容放位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，其特征在于，該移取治具包括多個吸頭，在該移取晶粒步驟中，通過該移取治具的該些吸頭，以真空吸取方式，同步且一對一地吸取置放于該承載盤中的該些發(fā)光二極管晶粒。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，其特征在于，在該同步配置晶粒步驟之后，該封裝方法更包括：

一固著晶粒步驟：令該第一犧牲層固化，以使該些發(fā)光二極管晶粒固著。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，其特征在于，該定義成型步驟包括：

在固化的該第一犧牲層上，以該第一材料形成一反射鏡膜；

以該第二犧牲層在該反射鏡膜上定義該模塊圖像，形成多個獨立且裸露區(qū)域；以及

以該第二材料分別在該些獨立且裸露區(qū)域上形成一基底，其中每一基底所對應(yīng)的該反射鏡膜的區(qū)域為一反射鏡，該些反射鏡與該些基底共同形成該支撐基層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，其特征在于，每一發(fā)光二極管晶粒模塊包括由對應(yīng)的該支撐基層的一預(yù)定區(qū)塊所構(gòu)成的一光杯座，以及位于該光杯座中，一預(yù)定數(shù)目的該些發(fā)光二極管晶粒。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，其特征在于，該定義成型步驟包括：

在固化的該第一犧牲層上，以該第二犧牲層定義該模塊圖像，形成多個獨立且裸露區(qū)域；以及

依序以該第一材料與該第二材料分別在該些獨立且裸露區(qū)域上形成一反射鏡和一基底，其中該些反射鏡與該些基底共同形成該支撐基層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，其特征在于，每一發(fā)光二極管晶粒模塊包括由對應(yīng)的該支撐基層的一預(yù)定區(qū)塊所構(gòu)成的一光杯座，以及位于該光杯座中，一預(yù)定數(shù)目的該些發(fā)光二極管晶粒。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，其特征在于，每一發(fā)光二極管晶粒模塊的該反射鏡包含一封閉溝槽或一封閉凸緣環(huán)繞該至少一發(fā)光二極管晶粒。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管晶粒模塊的封裝方法，其特征在于，每一個發(fā)光二極管晶粒模塊更包括同步執(zhí)行下列步驟：

形成一絕緣層于該封閉溝槽或該封閉凸緣上；

形成二導(dǎo)電層于該絕緣層上；

分別連接二導(dǎo)線于對應(yīng)的該導(dǎo)電層與該至少一發(fā)光二極管之間；以及

形成一封膠于該至少一發(fā)光二極管晶粒上，其中該封閉溝槽或該封閉凸緣限制該封膠的形成范圍，并且該二導(dǎo)線分別經(jīng)由對應(yīng)的該導(dǎo)電層向該封膠外部延伸。