[發明專利]高亮度便攜式場致發光三維地圖

無效

• 申請號: 201110198145.3
• 申請日: 2011-07-07
• 公開（公告）號: CN102280066A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 夏純運
• 申請（專利權）人: 夏純運
• 主分類號: G09B29/00
• 分類號: G09B29/00;B32B33/00;B32B9/04;B32B15/20;B32B27/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高亮度便攜式場致發光三維地圖，其特征在于：將鐳射三維地圖(1)與含有導電層(a)和絕緣層(b)的導電膜通過粘接層(2)復合在一起，然后在絕緣層(b)上涂覆制作發光層(4)；再在發光層(4)涂覆粘接層(5)，通過粘接層(5)與鍍鋁薄膜結合；最后從反光導電層(d)和ITO導電層(a)引出連接導線的(7)和(8)，連線導線(7)和(8)通過驅動器(g)連接電池(10)。

2.如權利要求1所述的高亮度便攜式場致發光三維地圖，其特征在于：鐳射三維地圖(1)是通過復雜的激光照排、電鑄、翻鑄等工藝制作金屬模板，再通過加熱膜壓制成帶有鐳射三維信息的PEC、PVC、POPP等熱塑性塑料薄膜。

3.如權利要求1所述的高亮度便攜式場致發光三維地圖，其特征在于：導電層(a)和絕緣層(b)為鍍有ITO透明導電層和透明材料PET、PVC、POPP等塑料薄膜。

4.根據專利要求1所述的高亮度便攜式場致發光三維地圖，其特征在于：絕緣層(c)和反光導電層(d)為真空鍍鋁的塑料薄膜，絕緣層(c)是透明的塑料PET、PVC、POPP等，反光導電層(d)為真空鍍鋁層，具有高反射率，同時可以導電。

5.根據權利要求1所述的高亮度便攜式場致發光三維地圖，其特征在于：所述發光層(4)是在導電膜的絕緣層(b)上制作，通過印刷，噴涂，光鍍濺射等方法制作，材料為EnS-Mn、EnS-Tb、SrS-Ce等場致發光材料。

6.根據權利要求1所述的高亮度便攜式場致發光三維地圖，其特征在于：所述粘接層Ⅰ(2)和粘接層Ⅱ(5)是透明的。

7.根據權利要求1所述的高亮度便攜式場致發光三維地圖，其特征在于：ITO導電層(a)和反光導電層(d)引出導線(7)和(8)，然后通過驅動器(g)連接電池(10)。