[發(fā)明專利]實(shí)現(xiàn)基于MiM的去耦電容器的缺陷避免技術(shù)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110197921.8
• 申請日: 2011-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN102339824A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 拉納思·溫卡特拉曼;魯格羅·卡斯塔格內(nèi)蒂
• 申請（專利權(quán)）人: LSI公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L23/64;H01L23/522
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 陳華成

1.一種集成電路電源去耦電路，包括：

具有第一端子和第二端子的電容器；以及

保護(hù)電路，包括：

具有第一導(dǎo)通路徑的第一晶體管，所述第一導(dǎo)通路徑的一個(gè)端子連接到所述第一端子，而所述第一導(dǎo)通路徑的另一個(gè)端子連接到第一電源軌道；以及

具有第二導(dǎo)通路徑的第二晶體管，所述第二導(dǎo)通路徑的一個(gè)端子連接到所述第二端子，而所述第二導(dǎo)通路徑的另一個(gè)端子連接到不同的第二電源軌道。

2.如權(quán)利要求1所述的去耦電路，其中所述第一晶體管是具有第一源極、第一柵極和第一漏極的p溝道FET，而所述第二晶體管是具有第二源極、第二柵極和第二漏極的n溝道FET，并且所述第一柵極導(dǎo)通地耦合到所述第二漏極和所述電容器的所述第二端子，而所述第二柵極導(dǎo)通地耦合到所述第一漏極和所述電容器的所述第一端子。

3.如權(quán)利要求1所述的去耦電路，其中所述第一電源軌道和所述第二電源軌道是包括較高V_t的FET和較低V_t的FET的集成電路的電源軌道，并且所述第一晶體管和所述第二晶體管是較低V_t的FET。

4.如權(quán)利要求1所述的去耦電路，其中所述第一電源軌道和所述第二電源軌道之間通過所述保護(hù)電路的電流具有在所述電容器的低電阻和所述電容器的高電阻之間呈現(xiàn)局部最大值的相關(guān)電流特性。

5.一種集成電路，包括：

器件襯底；

有源電路，位于所述襯底之上并且配置成由第一電源軌道和第二電源軌道供電；

具有第一端子和第二端子的電容器，配置成減少所述第一電源軌道和所述第二電源軌道上的電源噪聲；以及

保護(hù)電路，配置成限制通過所述電容器的電流，所述保護(hù)電路包括：

具有第一導(dǎo)通路徑的第一晶體管，所述第一導(dǎo)通路徑的一個(gè)端子連接到所述第一端子，而所述第一導(dǎo)通路徑的另一個(gè)端子連接到所述第一電源軌道；以及

具有第二導(dǎo)通路徑的第二晶體管，所述第二導(dǎo)通路徑的一個(gè)端子連接到所述第二端子，而所述第二導(dǎo)通路徑的另一個(gè)端子連接到所述第二電源軌道。

6.如權(quán)利要求5所述的集成電路，其中所述第一晶體管是具有第一源極、第一柵極和第一漏極的p溝道FET，而所述第二晶體管是具有第二源極、第二柵極和第二漏極的n溝道FET，并且所述第一柵極導(dǎo)通地耦合到所述第二漏極和所述電容器的所述第二端子，而所述第二柵極導(dǎo)通地耦合到所述第一漏極和所述電容器的所述第一端子。

7.如權(quán)利要求5所述的集成電路，其中所述電容器是多個(gè)并聯(lián)連接電容器的線性陣列中的一個(gè)，并且所述保護(hù)電路是位于所述線性陣列的第一端的第一保護(hù)電路，而且該集成電路還包括位于所述線性陣列的第二端的第二保護(hù)電路。

8.一種制造集成電路的方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成有源電路；

將所述有源電路配置成由第一電源軌道和第二電源軌道供電；

配置位于所述襯底上的去耦電容器，以過濾所述第一電源軌道和所述第二電源軌道上的電源噪聲；以及

在所述襯底上定位保護(hù)電路，該保護(hù)電路配置成限制通過所述電容器的電流，所述保護(hù)電路包括：

具有第一導(dǎo)通路徑的第一晶體管，所述第一導(dǎo)通路徑的一個(gè)端子連接到所述電容器的第一端子，而所述第一導(dǎo)通路徑的另一個(gè)端子連接到所述第一電源軌道；以及

具有第二導(dǎo)通路徑的第二晶體管，所述第二導(dǎo)通路徑的一個(gè)端子連接到所述電容器的第二端子，而所述第二導(dǎo)通路徑的另一個(gè)端子連接到所述第二電源軌道。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一晶體管是具有第一源極、第一柵極和第一漏極的p溝道FET，而所述第二晶體管是具有第二源極、第二柵極和第二漏極的n溝道FET，并且所述第一柵極導(dǎo)通地耦合到所述第二漏極和所述電容器的所述第二端子，而所述第二柵極導(dǎo)通地耦合到所述第一漏極和所述電容器的所述第一端子。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管是雙極晶體管。