[發明專利]電漿蝕刻設備、晶圓治具及設置晶圓的方法

有效

• 申請號: 201110196866.0
• 申請日: 2011-07-14
• 公開（公告）號: CN102477585A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 張宏隆;陳慶安;胡肇匯
• 申請（專利權）人: 志圣科技(廣州)有限公司
• 主分類號: C30B33/12
• 分類號: C30B33/12;H01L21/3065
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355
• 代理人: 張雅軍

技術領域

本發明涉及一種電漿蝕刻設備及晶圓治具，特別是涉及一種可自動化加載晶圓的電漿蝕刻設備、晶圓治具及設置晶圓的方法。

背景技術

現有用于晶圓的電漿蝕刻設備是使用圓形的電極，而承載晶圓的治具也配合電極為圓形。參閱圖1，由于晶圓治具9的外輪廓為圓形，而一般晶圓容置槽91是呈數組排列，且大致呈方形排列，因而受限于晶圓治具9的圓形邊界，使得晶圓治具9的整體面積并未能充分的利用。例如圖1所示，在相鄰邊界的部分區域92(方形排列的晶圓容置槽91外側區域)其寬度容不下一個晶圓容置槽91，但是該等區域92加總的面積還可以再容納幾個晶圓容置槽91，所以該等區域92即為浪費的空間。

再者，由于晶圓治具的外輪廓為圓形，沒有方向性，欲將已承載晶圓的晶圓治具置入電漿蝕刻設備的電極上時，不容易將晶圓治具定位，所以無法利用機器手臂自動擺放，需增加作業時間及人力成本。

發明內容

本發明的目的，在于提供一種可以增加設置晶圓空間的電漿蝕刻設備。

本發明的另一目的，在于提供一種用于電漿蝕刻設備的晶圓治具。

本發明的再一目的，在于提供一種在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法。

本發明電漿蝕刻設備包含一反應腔體、一設于該反應腔體內的下電極、一設于該反應腔體內并對應位于該下電極上方的上電極以及一晶圓治具，該晶圓治具覆蓋于該下電極上，并具有一呈方形的底板，該底板設有多個分別用于容置晶圓的晶圓容置槽。

較佳地，該晶圓治具還具有一蓋板，該蓋板覆蓋于該底板上，并具有多個分別對應所述晶圓容置槽的開口，且各開口的內徑小于各晶圓容置槽的內徑，該蓋板位于各開口周側的部分壓抵于各晶圓的周緣。

較佳地，該下電極還具有一冷卻系統，該冷卻系統包括多個設于該本體頂面且朝向該晶圓治具的出氣孔。

較佳地，該蓋板的每一開口呈截頭倒錐狀。

較佳地，該晶圓治具的每一晶圓容置槽與該冷卻系統相連通。

較佳地，所述晶圓容置槽是沿平行該底板側邊的方向縱橫對齊排列。

較佳地，所述晶圓容置槽是沿平行該底板側邊的方向縱橫錯位排列。

本發明晶圓治具適用于電漿蝕刻設備，該晶圓治具包含一底板，該底板呈方形并排列設置有多個分別用于容置晶圓的晶圓容置槽。

較佳地，該晶圓治具還包含一覆蓋于該底板上的蓋板，該蓋板具有多個分別對應所述晶圓容置槽的開口，且各開口的內徑小于各晶圓容置槽的內徑，使該蓋板位于各開口周側的部分壓抵于各晶圓的周緣。

本發明電漿蝕刻設備包含一反應腔體、一設于該反應腔體內的下電極以及一設于該反應腔體內并對應位于該下電極上方的上電極，該下電極具有一呈方形的本體，該本體頂面設有多個分別用于容置晶圓的晶圓容置槽。

較佳地，該下電極還具有一設于該本體內的冷卻系統。

本發明在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法是制備一呈方形的承載裝置，并在對應該承載裝置的方形的承載范圍內布設多個晶圓。

較佳地，所述晶圓是呈縱橫對齊排列。

較佳地，所述晶圓是呈縱橫錯位排列。

較佳地，所述晶圓是呈放射狀排列。

較佳地，該承載裝置為如前面所述的晶圓治具。

較佳地，該承載裝置為如前面所述的下電極。

本發明的有益的效果在于：通過該電漿蝕刻設備中用以設置晶圓的承載裝置(晶圓治具或下電極)呈方形，可以容納較多的晶圓，達到最佳的空間利用率，提高生產效能，而且較容易定位，能夠將加載晶圓至反應腔體內的流程自動化。

附圖說明

圖1是一示意圖，說明現有電漿蝕刻設備的一晶圓治具；

圖2是一示意圖，說明本發明電漿蝕刻設備的第一較佳實施例；

圖3是一示意圖，說明本發明電漿蝕刻設備的第二較佳實施例；

圖4是一示意圖，說明本發明在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法的一實施態樣；

圖5是一示意圖，說明本發明在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法的另一實施態樣；

圖6是一示意圖，說明本發明在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法的再一實施態樣。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本發明進行詳細說明：

參閱圖2，本發明電漿蝕刻設備的第一較佳實施例，可供設置多個晶圓5，包含一反應腔體1、一下電極2、一晶圓治具3及一設于反應腔體1內并對應位于下電極2上方的上電極4。