[發明專利]電漿蝕刻設備、晶圓治具及設置晶圓的方法有效
| 申請號： | 201110196866.0 | 申請日： | 2011-07-14 |
| 公開（公告）號： | CN102477585A | 公開（公告）日： | 2012-05-30 |
| 發明（設計）人： | 張宏隆;陳慶安;胡肇匯 | 申請（專利權）人： | 志圣科技(廣州)有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/12 | 分類號： | C30B33/12;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人： | 張雅軍 |
| 地址： | 510850 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 設備 晶圓治具 設置 方法 | ||
1.一種電漿蝕刻設備，包含一反應腔體、一設于該反應腔體內的下電極、一設于該反應腔體內并對應位于該下電極上方的上電極以及一晶圓治具；其特征在于：
該晶圓治具覆蓋于該下電極上，并具有一呈方形的底板，該底板設有多個分別用于容置晶圓的晶圓容置槽。
2.根據權利要求1所述的電漿蝕刻設備，其特征在于：該晶圓治具還具有一蓋板，該蓋板覆蓋于該底板上，并具有多個分別對應所述晶圓容置槽的開口，且各開口的內徑小于各晶圓容置槽的內徑，該蓋板位于各開口周側的部分壓抵于各晶圓的周緣。
3.根據權利要求1或2所述的電漿蝕刻設備，其特征在于：該下電極還具有一冷卻系統，該冷卻系統包括多個設于該本體頂面且朝向該晶圓治具的出氣孔。
4.根據權利要求2所述的電漿蝕刻設備，其特征在于：該蓋板的每一開口呈截頭倒錐狀。
5.根據權利要求3所述的電漿蝕刻設備，其特征在于：該晶圓治具的每一晶圓容置槽與該冷卻系統相連通。
6.根據權利要求1或2所述的電漿蝕刻設備，其特征在于：所述晶圓容置槽是沿平行該底板側邊的方向縱橫對齊排列。
7.根據權利要求1或2所述的電漿蝕刻設備，其特征在于：所述晶圓容置槽是沿平行該底板側邊的方向縱橫錯位排列。
8.一種晶圓治具，適用于電漿蝕刻設備，其特征在于該晶圓治具包含：
一底板，呈方形并排列設置有多個分別用于容置晶圓的晶圓容置槽。
9.根據權利要求8所述的晶圓治具，其特征在于：該晶圓治具還包含一覆蓋于該底板上的蓋板，該蓋板具有多個分別對應所述晶圓容置槽的開口，且各開口的內徑小于各晶圓容置槽的內徑，該蓋板位于各開口周側的部分壓抵于各晶圓的周緣。
10.一種電漿蝕刻設備，包含一反應腔體、一設于該反應腔體內的下電極以及一設于該反應腔體內并對應位于該下電極上方的上電極，其特征在于：
該下電極具有一呈方形的本體，該本體頂面設有多個分別用于容置晶圓的晶圓容置槽。
11.根據權利要求10所述的電漿蝕刻設備，其特征在于：該下電極還具有一設于該本體內的冷卻系統。
12.一種在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法，其特征在于：制備一呈方形的承載裝置，并在對應該承載裝置的方形的承載范圍內布設多個晶圓。
13.根據權利要求12所述的在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法，其特征在于：所述晶圓是呈縱橫對齊排列。
14.根據權利要求12所述的在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法，其特征在于：所述晶圓是呈縱橫錯位排列。
15.根據權利要求12所述的在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法，其特征在于：所述晶圓是呈放射狀排列。
16.根據權利要求12所述的在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法，其特征在于：該承載裝置為如權利要求8所述的晶圓治具。
17.根據權利要求12所述的在電漿蝕刻設備中設置晶圓的方法，其特征在于：該承載裝置為如權利要求10所述的下電極。
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