[發明專利]化學鈀金鍍膜結構及其制作方法、銅線或鈀銅線接合的鈀金鍍膜封裝結構及其封裝工藝

無效

• 申請號: 201110192517.1
• 申請日: 2011-06-28
• 公開（公告）號: CN102605359A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 林明宏;劉昆正;李英杰;邱國賓;郭蔡同
• 申請（專利權）人: 臺灣上村股份有限公司
• 主分類號: C23C18/42
• 分類號: C23C18/42;B32B15/01;H01L23/00;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 聞卿

1.一種化學鈀金鍍膜結構，其位于一焊墊上，該化學鈀金鍍膜包含有：

一鈀鍍層，其位于該焊墊上；以及

一金鍍層，其位于該鈀鍍層上。

2.如權利要求1的化學鈀金鍍膜結構，其特征在于，該鈀鍍層是利用置換型或置換型搭配還原型反應所形成，該金鍍層是置換型、還原型或者半置換半還原型反應所形成。

3.一種化學鈀金鍍膜的制作方法，其步驟包含有：

提供一焊墊；

利用置換反應于該焊墊上形成一置換型鈀鍍層；以及

利用置換型、還原型或者半置換半還原型反應于該置換型鈀鍍層上形成一金鍍層。

4.如權利要求3的方法，其特征在于，該焊墊的材質為銅，該置換型鈀鍍層的材質是純鈀或者是鈀磷合金。

5.如權利要求3的方法，其特征在于，其在溫度為25℃～95℃，酸堿值為pH4～9進行。

6.如權利要求3的方法，其特征在于，該置換型鈀鍍層的厚度為0.03～0.2微米，該金鍍層的厚度為0.03～0.2微米。

7.如權利要求3的方法，其特征在于，其應用于低階但線路密集度高的電子產品封裝工藝。

8.如權利要求3的方法，其特征在于，在形成該金鍍層前還包括一利用還原反應于該置換型鈀鍍層上形成一還原型鈀鍍層的步驟。

9.如權利要求8的方法，其特征在于，該置換型鈀鍍層的厚度加上該還原型鈀鍍層的厚度為0.03～0.2微米，該金鍍層的厚度為0.03～0.2微米。

10.一種化學鈀金鍍膜的制作方法，其步驟包含有：

提供一焊墊；

使用一兼具觸媒鈀與化學鈀效用的溶液同時進行置換與還原反應，以于該焊墊上形成一鈀鍍層；以及

利用置換型、還原型或者半置換半還原型反應于該鈀鍍層上形成一金鍍層。

11.如權利要求10的方法，其特征在于，該焊墊的材質為銅，該鈀鍍層的材質是純鈀或者是鈀磷合金。

12.如權利要求10的方法，其特征在于，其于溫度為25℃～95℃，酸堿值為pH?4～9進行。

13.如權利要求10的方法，其特征在于，該鈀鍍層的厚度為0.03～0.2微米，該金鍍層的厚度為0.03～0.2微米。

14.如權利要求10的方法，其特征在于，其應用于低階但線路密集度高的電子產品封裝工藝。

15.一種銅線或鈀銅線的封裝結構，其包含有：

一焊墊；

一鈀鍍層，其位于該焊墊上；

一金鍍層，其位于該鈀鍍層上；以及

一銅線或鈀銅線，其打線接合于該金鍍層上。

16.如權利要求15的封裝結構，其特征在于，該焊墊的材質為銅，該鈀鍍層的材質為純鈀或者是鈀磷合金。

17.如權利要求15的封裝結構，其特征在于，該鈀鍍層包含有一置換型鈀鍍層與一還原型鈀鍍層。

18.如權利要求15的封裝結構，其特征在于，該鈀鍍層的厚度為0.03～0.2微米，該金鍍層的厚度為0.03～0.2微米。

19.一種銅線或鈀銅線的封裝工藝方法，其包含有下列步驟：

提供一焊墊；

于該焊墊上形成一鈀鍍層；

于該鈀鍍層上形成一金鍍層；以及

于該金鍍層上打線接合一銅線或鈀銅線。

20.如權利要求19的方法，其特征在于，于該焊墊上形成該鈀鍍層的步驟還包括有：

利用置換反應于該焊墊上先形成一置換型鈀鍍層；以及

利用還原反應于該置換型鈀鍍層上形成一還原型鈀鍍層。

21.如權利要求19的方法，其特征在于，該焊墊的材質為銅，該鈀鍍層的材質為純鈀或者是鈀磷合金。

22.如權利要求19的方法，其特征在于，形成該鈀鍍層與該金鍍層的步驟于溫度為25℃～95℃、酸堿值為pH?4～9進行。

23.如權利要求19的方法，其特征在于，該鈀鍍層的厚度為0.03～0.2微米，該金鍍層的厚度為0.03～0.2微米。