[發明專利]一種連接Si3N4陶瓷與不銹鋼的中間層組件及連接方法有效
| 申請號: | 201110192243.6 | 申請日: | 2011-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN102357696A | 公開(公告)日: | 2012-02-22 |
| 發明(設計)人: | 鄒家生;許祥平;高飛;嚴鏗 | 申請(專利權)人: | 江蘇科技大學 |
| 主分類號: | B23K1/008 | 分類號: | B23K1/008;B23K1/19;B23K1/20 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 212003*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 連接 si sub 陶瓷 不銹鋼 中間層 組件 方法 | ||
技術領域:
本發明涉及異種材料的連接,更具體地說,是涉及一種連接Si3N4陶瓷與 不銹鋼的中間層組件及連接方法,屬于焊接技術領域。
背景技術:
結構陶瓷材料具有強度高、耐高溫、耐腐蝕等獨特性能,但其脆性大、強 度分散和加工困難等缺點,限制了它作為整體機構在工程中的應用。實現結構 陶瓷與金屬的連接,對擴展陶瓷的應用領域具有重要意義。
陶瓷與金屬的連接主要是活性釬焊和擴散焊,此外還有部分瞬間液相連接 和二次PTLP等新方法。由于陶瓷和金屬的物理化學性能存在較大差異,特別 是兩種材料間的熱膨脹系數差別較大,接頭在冷卻過程中由于收縮不均勻造成 較大的殘余應力,使連接強度大大降低。
嚴重者自行開裂,甚至成為結構損壞的直接或間接原因,因此,實現陶瓷與金 屬之間的可靠連接是Si3N4陶瓷得以廣泛工業應用的重要前提和保證。
活性釬料的研究與開發是發展陶瓷/金屬釬焊的一項重要內容。國內熊柏 青、楚建新等研究表明添加中間層可有效控制殘余熱應力對Si3N4/金屬釬焊接 頭性能的影響;翟陽、任家烈等使用非晶態合金作中間層擴散連接Si3N4與40Cr 鋼,但連接強度不高;何鵬、馮吉才、錢乙余等研究了Si3N4陶瓷與不銹鋼材料 擴散連接接頭的殘余應力的分布特征及中間層的作用,但接頭強度較低。以上 對Si3N4與金屬的連接能有效減低接頭殘余應力,但均存在接頭強度低而無法滿 足工程實際應用的要求。
發明內容:
技術問題:本發明的目的是針對現有技術存在的缺陷,解決Si3N4陶瓷與不銹鋼連接所存在的殘余應力過大,接頭強度低等問題,提供 一種連接Si3N4陶瓷與不銹鋼的中間層組件及連接方法。本發明是使用Ag-Cu釬 料箔、Ti箔、Ni箔作為復合中間層組件,在真空中釬焊連接。本發明能緩解陶 瓷與不銹鋼接頭殘余應力,提高接頭強度。
技術方案:為了實現上述目的,本發明解決問題所采取的技術方案 是:
一種連接Si3N4陶瓷與不銹鋼的中間層組件,依順序由Ti箔、Ag-Cu釬料 箔、Ni箔和Ag-Cu釬料箔緊貼組成,其中,所述的Ti箔的純度為99.8%以 上,厚度為5-10μm的工業級產品;所述的Ag-Cu釬料箔按質量百分比含量由 組分:Ag為72.0%,Cu為28.0%組成,厚度為100-150μm的工業級產品;所 述的Ni箔的純度為99.8%以上,厚度為600-800μm的工業級產品。
為了實現上述目的,本發明解決問題所采取的另一個技術方案是:
一種連接Si3N4陶瓷與不銹鋼的中間層組件的連接方法,包括如下步驟:
1、準備階段:先將待連接的Si3N4陶瓷試樣端面用金剛石研磨膏磨平, 再將Ti箔、Ag-Cu釬料箔、Ni箔和不銹鋼用5號金相砂紙磨光,然后一起置于 丙酮中進行超聲波清洗10分鐘;
2、裝配步驟:將經磨光的Ti箔、Ag-Cu釬料箔、Ni箔、不銹鋼和經磨平 的Si3N4陶瓷按Si3N4陶瓷、Ti、Ag-Cu、Ni、Ag-Cu、不銹鋼的順序緊貼安裝 在專用夾具中;同時在待連接件上放置一小砝碼以產生0.020-0.029MPa的壓力;
3、連接階段:將裝配好的專用夾具置于真空爐中進行釬焊,真空爐先以 10-15K/min的速率升溫至923K,保溫30min;再以10-15K/min的速率升溫至 1113-1153K,保溫10-30min;然后以6-10K/min的速率冷至873K;真空度小于 10-3Pa;自然冷卻至室溫時開爐門取樣。
上述所述不銹銅為1Cr18Ni9Ti。
有益效果:本發明與現有技術相比較,所具有的優點和有益效果主要體 現在以下幾方面:
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