[發明專利]鈰摻雜硼酸釔鋁發光材料、制備方法及其應用

有效

• 申請號: 201110191522.0
• 申請日: 2011-07-08
• 公開（公告）號: CN102863961A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;H05B33/14
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

【技術領域】

本發明涉及一種鈰摻雜硼酸釔鋁發光材料、其制備方法、鈰摻雜硼酸釔鋁發光薄膜、其制備方法及薄膜電致發光器件。

【背景技術】

薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的材料，是該課題的發展方向。

硼酸鹽是稀土離子發光一類很好的基質材料，但是，可應用于薄膜電致發光顯示器的鈰摻雜硼酸釔鋁發光材料，仍未見報道。

【發明內容】

基于此，有必要提供一種可應用于薄膜電致發光器件的鈰摻雜硼酸釔鋁發光材料、其制備方法、鈰摻雜硼酸釔鋁發光薄膜、其制備方法及使用該鈰摻雜硼酸釔鋁發光材料的薄膜電致發光器件。

一種鈰摻雜硼酸釔鋁發光材料，其化學式為YAl₃(BO₃)₄:xCe³⁺，其中0.0024≤x≤0.073。

在優選的實施例中，x為0.017。

一種鈰摻雜硼酸釔鋁發光材料的制備方法，包括以下步驟：步驟一、根據YAl₃(BO₃)₄:xCe³⁺各元素的化學計量比稱取Y₂O₃，Al₂O₃，B₂O₃和CeO₂粉體并混合均勻，其中0.0024≤x≤0.073；步驟二、將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結0.5小時～5小時即得到所述鈰摻雜硼酸釔鋁發光材料。

在優選的實施例中，x為0.017。

在優選的實施例中，步驟二中將混合均勻的粉體在1250℃下燒結3小時。

一種鈰摻雜硼酸釔鋁發光薄膜，該鈰摻雜硼酸釔鋁發光薄膜的材料的化學通式為YAl₃(BO₃)₄:xCe³⁺，其中YAl₃(BO₃)₄是基質，Ce元素是激活元素，0.0024≤x≤0.073。

在優選的實施例中，x為0.017。

一種鈰摻雜硼酸釔鋁發光薄膜的制備方法，包括以下步驟：步驟一、根據YAl₃(BO₃)₄:xCe³⁺各元素的化學計量比稱取Y₂O₃，Al₂O₃，B₂O₃和CeO₂粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結0.5小時～5小時制成靶材，其中0.0024≤x≤0.073；步驟二、將步驟一中得到的靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；步驟三、調整磁控濺射鍍膜工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；接著進行制膜，得到薄膜樣品；步驟四、將步驟三中得到的薄膜樣品于500℃～800℃下真空退火處理1h～3h，得到所述鈰摻雜硼酸釔鋁發光薄膜。

在優選的實施例中，步驟一中x為0.017；步驟二中真空度為5.0×10^-4Pa；步驟三中，基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25sccm，襯底溫度為500℃；步驟四中，薄膜樣品于600℃下真空退火處理2h。。

一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，所述發光層的材料為鈰摻雜硼酸釔鋁發光材料，該鈰摻雜硼酸釔鋁發光材料的化學式為YAl₃(BO₃)₄:xCe³⁺，其中0.0024≤x≤0.073。