[發(fā)明專利]鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光材料、制備方法及其應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110191522.0
• 申請日: 2011-07-08
• 公開（公告）號: CN102863961A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;H05B33/14
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光材料，其特征在于：其化學(xué)式為YAl₃(BO₃)₄:xCe³⁺，其中0.0024≤x≤0.073。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光材料，其特征在于，x為0.017。

3.一種鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、根據(jù)YAl₃(BO₃)₄:xCe³⁺各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取Y₂O₃，Al₂O₃，B₂O₃和CeO₂粉體并混合均勻，其中0.0024≤x≤0.073；

步驟二、將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結(jié)0.5小時(shí)～5小時(shí)即得到所述鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，x為0.017。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，步驟二中將混合均勻的粉體在1250℃下燒結(jié)3小時(shí)。

6.一種鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光薄膜，其特征在于，該鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為YAl₃(BO₃)₄:xCe³⁺，其中YAl₃(BO₃)₄是基質(zhì)，Ce元素是激活元素，0.0024≤x≤0.073。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光薄膜，其特征在于，x為0.017。

8.一種鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、根據(jù)YAl₃(BO₃)₄:xCe³⁺各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取Y₂O₃，Al₂O₃，B₂O₃和CeO₂粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結(jié)0.5小時(shí)～5小時(shí)制成靶材，其中0.0024≤x≤0.073；

步驟二、將步驟一中得到的靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

步驟三、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm～95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；接著進(jìn)行制膜，得到薄膜樣品；

步驟四、將步驟三中得到的薄膜樣品于500℃～800℃下真空退火處理1h～3h，得到所述鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，步驟一中x為0.017；步驟二中真空度為5.0×10^-4Pa；步驟三中，基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25sccm，襯底溫度為500℃；步驟四中，薄膜樣品于600℃下真空退火處理2h。

10.一種薄膜電致發(fā)光器件，該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光材料，該鈰摻雜硼酸釔鋁發(fā)光材料的化學(xué)式為YAl₃(BO₃)₄:xCe³⁺，其中0.0024＜x＜0.073。