[發(fā)明專利]一種廣視角液晶顯示器的電極絕緣層的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110191057.0
• 申請(qǐng)日: 2011-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN102244036A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郝付潑;謝凡;胡君文;于春崎;李建華;何基強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信利半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L21/31;G02F1/1362
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及廣視角液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說是涉及一種廣視角液晶顯示器的電極絕緣層的制作方法。

背景技術(shù)

為了解決傳統(tǒng)液晶顯示器由于觀看者角度不同而產(chǎn)生亮度以及對(duì)比度的差異的現(xiàn)象，廣視角液晶顯示屏應(yīng)運(yùn)而生。廣視角液晶顯示器是應(yīng)用橫向電場廣視角技術(shù)(IPS)制作而成，具有廣視角、高光效、高對(duì)比度等優(yōu)點(diǎn)。

基于橫向電場廣視角技術(shù)的廣角液晶顯示器的通用電極和像素電極是制作在同一玻璃基板上的，在通用電極和像素電極之間設(shè)置有電極絕緣層(或者稱為電場絕緣層)。制作該電極絕緣層的方式主要有化學(xué)氣相沉積、物理濺射沉積、狹縫涂布或旋轉(zhuǎn)涂布等方式。例如，等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是采用輝光放電裝置解離相應(yīng)的氣體，使氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和等離子反應(yīng)在陣列基板(陣列基板是已經(jīng)完成像素電極或通用電極制作的基板)上沉積形成一層固態(tài)薄膜得到絕緣層。電極絕緣層會(huì)有一定的厚度可以起到隔離通用電極和像素電極的作用，并能保護(hù)基板上的薄膜晶體管。

但是在制作電極絕緣層的過程中會(huì)產(chǎn)生數(shù)量較多且體積較大的導(dǎo)電微粒，這些導(dǎo)電微粒可能會(huì)將像素電極和絕緣電極導(dǎo)通，從而使得制成的廣視角顯示器在顯示時(shí)屏幕中會(huì)出現(xiàn)一些亮點(diǎn)或斷線，影響廣視角顯示器的顯示效果，降低了廣視角液晶顯示器的生產(chǎn)合格率。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種廣視角液晶顯示器的電極絕緣層的制作方法，該方法在制作電極絕緣層時(shí)，能降低生成的導(dǎo)電微粒導(dǎo)通通用電極和像素電極的概率，從而提高生產(chǎn)的廣視角顯示器的產(chǎn)品合格率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種廣視角液晶顯示器的電極絕緣層的制作方法，包括：

提供完成像素電極或通用電極制作的陣列基板；

在所述陣列基板上制作具有絕緣性質(zhì)的第一絕緣膜；

在所述第一絕緣膜上制作具有絕緣性質(zhì)的絕緣膜以生成預(yù)設(shè)厚度的電極絕緣層。

優(yōu)選的，所述第一絕緣膜的厚度小于所述電極絕緣層的厚度。

優(yōu)選的，所述在所述陣列基板上制作具有絕緣性質(zhì)的第一絕緣膜，包括：

采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在所述陣列基板上沉積具有絕緣性質(zhì)的第一絕緣膜；

或，采用物理濺射沉積的方式在所述陣列基板上沉積具有絕緣性質(zhì)的第一絕緣膜；

或，采用狹縫涂布的方式在所述陣列基板上制作具有絕緣性質(zhì)的第一絕緣膜；

或，采用旋轉(zhuǎn)涂布的方式在所述陣列基板上制作具有絕緣性質(zhì)的第一絕緣膜。

優(yōu)選的，所述在所述第一絕緣膜上制作具有絕緣性質(zhì)的絕緣膜，包括：

采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在所述第一絕緣膜上沉積具有絕緣性質(zhì)的絕緣膜；

或，采用物理濺射沉積的方式在所述第一絕緣膜上沉積具有絕緣性質(zhì)的絕緣膜；

或，采用狹縫涂布的方式在所述第一絕緣膜上制作具有絕緣性質(zhì)的第一絕緣膜；

或，采用旋轉(zhuǎn)涂布的方式在所述第一絕緣膜上制作具有絕緣性質(zhì)的第一絕緣膜。

優(yōu)選的，在所述第一絕緣膜上制作絕緣性質(zhì)的絕緣膜以生成具有預(yù)設(shè)厚度的電極絕緣層，包括：

在所述第一絕緣膜上通過一次或多次制作具有絕緣性質(zhì)的絕緣膜來生成預(yù)設(shè)厚度的電極絕緣層。

優(yōu)選的，在所述陣列基板上制作具有絕緣性質(zhì)的第一絕緣膜之后，還包括：

清潔所述第一絕緣膜表面產(chǎn)生的導(dǎo)電微粒。

優(yōu)選的，所述清潔所述第一絕緣膜表面產(chǎn)生的導(dǎo)電微粒，包括：

采用清潔溶劑、高壓水噴淋和/或超聲波振動(dòng)來清洗沉積有所述第一絕緣膜的陣列基板，以減少第一絕緣膜上附著的導(dǎo)電微粒。

優(yōu)選的，當(dāng)采用化學(xué)氣相沉積或物理濺射技術(shù)在所述陣列基板上制作所述第一絕緣膜時(shí)，所述清潔所述第一絕緣膜表面產(chǎn)生的導(dǎo)電微粒，包括：

采用氣體等離子體對(duì)所述第一絕緣膜進(jìn)行清潔，以減少所述第一絕緣膜表面的導(dǎo)電微粒。

優(yōu)選的，當(dāng)在所述第一絕緣膜上通過多次制作具有絕緣性質(zhì)的絕緣膜來生成預(yù)設(shè)厚度的電極絕緣層時(shí)，還包括：

每次在所述第一絕緣膜上生成一層具有絕緣性質(zhì)的絕緣薄膜后，清潔所述在第一絕緣膜上制作生成的絕緣膜上附著的導(dǎo)電微粒，并繼續(xù)在已生成的絕緣膜上制作具有絕緣性質(zhì)的絕緣膜直至生成預(yù)設(shè)厚度的電極絕緣層。

優(yōu)選的，當(dāng)在所述第一絕緣膜上通過制作一次具有絕緣性質(zhì)的絕緣膜生成預(yù)設(shè)厚度的電極絕緣層時(shí)，所述第一絕緣膜的厚度小于或等于所述電極絕緣層厚度的1/2。