[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201110190981.7
• 申請日: 2011-07-08
• 公開（公告）號: CN102867819A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 林厚德;張超雄
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管封裝結構，包括：

一絕緣基板，具有第一表面以及相對于第一表面之第二表面；

二電極層，設于該絕緣基板的第一表面；

一個或多個發光二極管芯片，位于其中一電極上并且與該二電極電性連接；及

一封裝層覆蓋于該若干發光二極管芯片上；

其特征在于：該發光二極管封裝結構還包括一穩壓模組，該穩壓模組圍設貼合在其中一電極層的外圍，另一電極層圍設貼合在該穩壓模組的外圍，該穩壓模組與二電極層電性連接并與發光二極管芯片反向并聯。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述穩壓模組包括第一電性摻雜層、第二電性摻雜層，該第一、第二電性摻雜層由磊晶摻雜、擴散摻雜或者離子布植方式制作而成，二電極層分別與第一、第二電性摻雜層中的其中之一電性連接。

3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述絕緣基板的材料包括硅、砷化鎵、氧化鋅及磷化銦的其中之一。

4.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述圍設該穩壓模組外圍的電極層延伸至該絕緣基板的第二表面。

5.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：被穩壓模組圍設的電極層延伸至該絕緣基板的第二表面。

6.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該絕緣基板第一表面形成凸狀結構，該穩壓模組摻雜形成于該凸狀結構中。

7.一種發光二極管封裝結構的制造方法，其步驟包括：

提供一絕緣基板，具有第一表面以及相對于第一表面之第二表面；

該絕緣基板上圍設形成一穩壓模組；

提供二電極層，該二電極層設置在絕緣基板上，該穩壓模組圍設貼合在其中一電極層的外圍，另一電極層圍設貼合在該穩壓模組的外圍，并且該二電極層分別與穩壓模組電性連接；

提供一個或多個發光二極管芯片，該發光二極管芯片設置在其中一電極層上，與二電極層電性連接，并與穩壓模組反向并聯；

提供一封裝層，該封裝層為一透光結構并覆蓋在該若干發光二極管芯片上。

8.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：所述穩壓模組包括以磊晶摻雜、擴散摻雜或者離子布植的方式形成的一第一電性摻雜層及一第二電性摻雜層，且第一、第二電性摻雜層分別與二電極層的其中之一電性連接。

9.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述絕緣基板的材料包括硅、砷化鎵、氧化鋅及磷化銦的其中之一。

10.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述圍設該穩壓模組外圍的電極層延伸至該絕緣基板的第二表面。

11.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：被穩壓模組圍設的電極層延伸至該絕緣基板的第二表面。

12.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：該絕緣基板第一表面形成凸狀結構，該穩壓模組摻雜形成于該凸狀結構中。