[發明專利]一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板及制作方法

有效

• 申請號: 201110189576.3
• 申請日: 2011-07-07
• 公開（公告）號: CN102629572A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 徐少穎;謝振宇;李田生;閻長江;姜曉輝;郭建
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及液晶顯示器技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板及其制作方法。

背景技術

近年來，隨著科學技術的進步，數字化電視開始走進日常生活中。薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Firm?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD)以其體積小，功耗低，無輻射，分辨率高等優點成為了目前的主導產品。

TFT-LCD主要由對盒的陣列基板和彩膜基板構成，其間抽真空后封灌液晶材料，這樣，TFT-LCD顯示屏形成幾十萬到上百萬的像素陣列，每個像素通過TFT的控制來顯示圖形。

高級超維場開關技術(Advanced-Super?Dimensional?Switching；簡稱：AD-SDS)通過同一平面內像素電極或公共電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極與公共電極間產生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-LCD畫面品質，具有高透過率、寬視角、高開口率、低色差、低響應時間、無擠壓水波紋(push?Mura)波紋等優點，目前被廣泛應用。

現有技術中一種AD-SDS模式的TFT-LCD的陣列基板包括：玻璃基板，以及在該玻璃基板上形成的柵線、數據線、TFT開關，像素電極，以及公共電極。其中，公共電極位于陣列基板的頂層。像素電極與公共電極形成的多維電場驅動液晶扭轉，因此，需要公共電極在整個基板上提供一致的電壓。而公共電極電壓由基板外圍施加，這樣會導致基板內不同區域電壓衰減不一致，因此，公共電極的方塊電阻越小，陣列基板的性能越好。目前，通過增加公共電極的厚度來減少公共電極的方塊電阻。

公共電極一般通過在玻璃基板上沉積透明導電薄膜后采用構圖(MASK)工藝形成，其中，MASK工藝包括：掩膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。而透明導電薄膜包括：非晶氧化銦錫(ITO)或多晶氧化銦錫(ITO)。

在形成非晶ITO公共電極的工藝中，為增加公共電極的厚度，則需沉積較厚的非晶ITO薄膜。但是，當沉積的非晶ITO薄膜的厚度達到一定厚度，例如700埃，此時，陣列基板的玻璃基板邊緣的非晶ITO轉化為多晶ITO，這樣，在后續的刻蝕過程中，由于多晶ITO的刻蝕速度要遠遠小于非晶ITO的刻蝕速度，因此，刻蝕工藝完成后，在玻璃基板邊緣會有ITO殘留，這樣會造成像素不良，影響TFT-LCD的性能。

可見，現有AD-SDS模式的TFT-LCD的陣列基板中的非晶ITO公共電極還不能很厚，陣列基板的性能還不是很好。

發明內容

本發明實施例提供一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板及其制作方法，用以提高AD-SDS模式的TFT-LCD的陣列基板的性能。

本發明實施例提供一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制作方法，包括：

在基板的第一面上形成柵線、數據線、薄膜晶體管TFT、像素電極以及第一公共電極；

在形成了第一公共電極的基板的第一面上涂覆負性光刻膠；

從與所述第一面相對的第二面曝光所述負性光刻膠并進行顯影；

在顯影后的基板的第一面上沉積導電透明薄膜；

剝離曝光后的負性光刻膠，在與所述柵線垂直相對的第一公共電極上以及與所述數據線垂直相對的第一公共電極上形成第二公共電極。

本發明實施例提供一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板，包括：基板，以及在基板的第一面上形成的柵線、數據線、薄膜晶體管TFT、像素電極以及第一公共電極，還包括：在與所述柵線垂直相對的第一公共電極上以及與數據線垂直相對的第一公共電極上形成的第二公共電極。

本發明實施例中TFT-LCD陣列基板中不僅包括第一公共電極，而且還包括在與柵線垂直相對的第一公共電極上以及與數據線垂直相對的第一公共電極上形成的第二公共電極。這樣，增加了陣列基板中與數據線垂直相對的公共電極的厚度，有效減少了公共電極的方塊電阻，提高了陣列基板的性能，從而進一步提高了TFT-LCD的性能。

附圖說明

圖1為本發明實施例中制作TFT-LCD陣列基板的流程圖；

圖2(a)為本發明實施例中形成了第一公共電極后的基板的剖視示意圖；

圖2(b)為本發明實施例中涂覆了負性光刻膠的基板的剖視示意圖；

圖2(c)為本發明實施例中曝光顯影后的基板的剖視示意圖；

圖2(d)為本發明實施例中沉積導電透明薄膜的基板的剖視示意圖；