[發明專利]一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板及制作方法有效
| 申請號： | 201110189576.3 | 申請日： | 2011-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN102629572A | 公開（公告）日： | 2012-08-08 |
| 發明（設計）人： | 徐少穎;謝振宇;李田生;閻長江;姜曉輝;郭建 | 申請（專利權）人： | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜晶體管 液晶顯示器 陣列 制作方法 | ||
1.一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板的第一面上形成柵線、數據線、薄膜晶體管TFT、像素電極以及第一公共電極；
在形成了第一公共電極的基板的第一面上涂覆負性光刻膠；
從與所述第一面相對的第二面曝光所述負性光刻膠并進行顯影；
在顯影后的基板的第一面上沉積導電透明薄膜；
剝離曝光后的負性光刻膠，在與所述柵線垂直相對的第一公共電極上以及與所述數據線垂直相對的第一公共電極上形成第二公共電極。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述進行顯影之前還包括：
將對盒紫外Cell?UV基板作為掩膜板，從所述基板的第一面曝光所述負性光刻膠。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述剝離曝光后的負性光刻膠之后，還包括：
對基板進行退火處理。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二公共電極的厚度大于或等于所述第一公共電極的厚度。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一公共電極的厚度與所述像素電極的厚度相同或相近。
6.一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板，包括：基板，以及在所述基板的第一面上形成的柵線、數據線、薄膜晶體管TFT、像素電極以及第一公共電極，其特征在于，還包括：在與所述柵線垂直相對的第一公共電極上以及與所述數據線垂直相對的第一公共電極上形成的第二公共電極。
7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第二公共電極的厚度大于或等于所述第一公共電極的厚度。
8.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極的厚度與所述像素電極的厚度相同或相近。
9.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極的材質包括：非晶氧化銦錫或多晶氧化銦錫；所述第二公共電極的材質包括：非晶氧化銦錫或多晶氧化銦錫。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
