[發明專利]發光裝置及電子機器有效
| 申請號: | 201110187972.2 | 申請日: | 2007-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN102244089A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | 洼田岳彥;神田榮二;野澤陵一 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 電子 機器 | ||
本申請是申請號為2007100040530(申請日:2007年1月23日)同名申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及利用有機EL(Electro?Luminescent)材料等發光材料的發光裝置的結構。
背景技術
在現有技術中,有人提出了有源矩陣方式的發光裝置的方案,該方案給各發光元件設置旨在控制供給發光元件的電流量的晶體管(例如專利文獻1)。在這種發光裝置中,例如為了提高開口率(發光元件的排列區域中,來自各發光元件的發射光實際射出的區域的比例),在基板上層疊晶體管及發光元件的各層,以及為了將它們電連接的布線。
專利文獻1:特開2004-119219號公報
可是,在各要素如上所述地層疊的結構中,相互鄰接的各要素電容性地結合(即在各要素間會寄生電容)。而且,例如起因于各部的寄生電容,各種信號的波形鈍化后,就往往妨礙發光元件的高精度的控制。
發明內容
面對這種情況,本發明的一種形態,其目的就在于解決降低發光裝置的各部寄生的電容的影響的這一課題。
本發明的第1樣態,其特征在于:具備在第1電極和第2電極之間介有發光層的發光元件、控制供給所述發光元件的電流量的驅動晶體管、與所述驅動晶體管的柵電極電連接的電容元件(例如圖2的電容元件C1及圖21或圖32的電容元件C2);所述第1電極,和所述電容元件重疊。
在該樣態中,由于和電容元件重疊地形成第1電極,所以即使不與用于控制發光元件的各種開關元件重疊地形成第1電極,也能很容易地確保第1電極的面積。這樣,能夠一方面充分地確保第1電極的面積,一方面減少第1電極和開關元件之間寄生的電容(進而防止起因于寄生電容的開關動作的延遲)。
例如,在設置與選擇信號對應地成為導通狀態或截止狀態的選擇晶體管(例如圖2及圖21的選擇晶體管Ts1),所述驅動晶體管的柵電極設定成與通過成為導通狀態的所述選擇晶體管做媒介,由數據線供給的數據信號對應的電位的結構中,不與所述選擇晶體管重疊地形成所述第1電極。采用該樣態后,因為能夠減少第1電極和選擇晶體管之間寄生的電容,所以能夠使選擇晶體管迅速地(即不發生起因于寄生電容的開關動作的延遲地)動作。
另外,在設置與初始化信號對應地成為導通狀態或截止狀態的初始化晶體管(例如圖2的初始化晶體管Tint),所述驅動晶體管的柵電極和漏極通過成為導通狀態的所述初始化晶體管做媒介電氣性連接的結構中,不與所述初始化晶體管重疊地形成所述第1電極。采用該樣態后,因為能夠減少第1電極和初始化晶體管之間寄生的電容,所以能夠使初始化晶體管迅速地動作。此外,通過初始化晶體管做媒介電氣性連接的驅動晶體管的柵電極,被設定成與該驅動晶體管的閾值電壓對應的電位。這樣,能夠補償驅動晶體管的閾值電壓的誤差。
此外,電容元件被代表性地用于設定或保持驅動晶體管的柵電極的電位。例如,在一種樣態中的電容元件(例如圖2的電容元件C1),介于驅動晶體管的柵電極和數據線之間。在該結構中,在電容元件中的電容耦合的作用下,驅動晶體管的柵電極被設定成與數據線的電位的變動量對應的電位。另外,在其它樣態中的電容元件(例如圖21及圖32的電容元件C2),介于驅動晶體管的柵電極和供給恒電位的布線(例如電源線)之間。在該結構中,由數據線供給驅動晶體管的柵電極的電位,被電容元件保持。
本發明的第2樣態,其特征在于,具備:供給規定的電位的饋電線(例如圖2及圖21的饋電線15),發光層介于第1電極和第2電極之間的發光元件,控制由所述饋電線供給所述發光元件的電流量的驅動晶體管;所述饋電線,包含介于所述第1電極和所述驅動晶體管之間的部分。此外,饋電線的典型例,是供給電源電位的電源線。
采用該樣態后,因為饋電線介于第1電極和驅動晶體管之間,所以和導電體不介于第1電極和驅動晶體管之間的結構相比,能夠抑制兩者的電容性的結合。這樣,能夠減少第1電極和驅動晶體管中的一個電位的變動對另一個的電位的影響。
本發明的第3樣態,其特征在于,具備:供給數據信號的數據線,供給規定的電位的饋電線,發光層介于第1電極和第2電極之間的發光元件,按照數據信號控制由所述饋電線供給所述發光元件的電流量的驅動晶體管;所述饋電線,包含介于所述第1電極和所述數據線之間的部分。采用該樣態后,因為饋電線介于第1電極和數據線之間,所以和導電體不介于第1電極和數據線之間的結構相比,能夠抑制兩者的電容性的結合。這樣,能夠減少第1電極和數據線中的一個電位的變動對另一個的電位的影響。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





