[發明專利]發光裝置及電子機器有效
| 申請號: | 201110187972.2 | 申請日: | 2007-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN102244089A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | 洼田岳彥;神田榮二;野澤陵一 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 電子 機器 | ||
1.一種發光裝置,其特征在于,具備:
與選擇信號對應地成為導通狀態或截止狀態的選擇晶體管,
與所述選擇晶體管重疊,且形成開口部的絕緣層;
第1電極與覆蓋所述絕緣層的第2電極,至少在所述開口部的內側隔著發光層相對的發光元件;
通過成為導通狀態的所述選擇晶體管,按照由數據線供給的數據信號,控制供給所述發光元件的電流量的驅動晶體管;以及
用電阻率比所述第2電極低的材料在所述絕緣層的面上形成,與所述第2電極導通的輔助布線,
所述選擇晶體管,與所述輔助布線重疊。
2.一種發光裝置,其特征在于,具備:
初始化晶體管,該初始化晶體管與初始化信號對應地成為導通狀態或截止狀態,
絕緣層,該絕緣層與所述初始化晶體管重疊,且形成開口部;
發光元件,該發光元件中第1電極與覆蓋所述絕緣層的第2電極,至少在所述開口部的內側隔著發光層相對;
驅動晶體管,該驅動晶體管用于控制供給所述發光元件的電流量,并且通過成為導通狀態的所述初始化晶體管,該驅動晶體管的柵電極與漏極電性連接;以及
輔助布線,該輔助布線用電阻率比所述第2電極低的材料在所述絕緣層的面上形成,與所述第2電極導通,
所述初始化晶體管,與所述輔助布線重疊。
3.如權利要求2所述的發光裝置,其特征在于:具備被供給規定的電位的饋電線,
所述驅動晶體管,控制由所述饋電線供給所述發光元件的電流量;
所述饋電線,包含與所述數據線的第2數據線部同層形成,且位于所述第1數據線部中所述第1單位元件與所述第3單位元件的間隙的部分。
4.如權利要求2所述的發光裝置,其特征在于:具備用電阻率比所述第2電極低的材料形成,且與所述第2電極導通的輔助布線;
所述輔助布線,與所述第1單位元件的所述控制晶體管及所述控制線和所述第2單位元件的所述控制晶體管及所述控制線重疊地形成,且不在所述第1單位元件與所述第3單位元件的間隙形成。
5.一種電子機器,其特征在于:具備權利要求1~4任一項所述的發光裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





