[發明專利]層疊式半導體封裝及其制造方法無效
| 申請號: | 201110187906.5 | 申請日: | 2011-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN102254890A | 公開(公告)日: | 2011-11-23 |
| 發明(設計)人: | 李圭遠;趙哲浩;都恩惠;金祉夽;申熙珉 | 申請(專利權)人: | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/065 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層疊 半導體 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種層疊式半導體封裝,包括:
半導體封裝模塊,包括多個半導體封裝和粘接件,其中每個半導體封裝具有第一表面、背對所述第一表面的第二表面、連接所述第一表面與所述第二表面的側表面、以及形成在所述側表面上以穿透所述第一表面和所述第二表面的貫通孔,且所述多個半導體封裝層疊使得它們的貫通孔彼此豎直地連接,以及所述粘接件形成在所述半導體封裝之間并且將所述半導體封裝相互附接;
主基板,支撐所述半導體封裝模塊,并且在其面對所述半導體封裝模塊的第三表面上形成有與所述貫通孔對準的主連接墊;以及
導電連接件,在所述貫通孔中形成,并且電連接所述半導體封裝與所述主連接墊。
2.根據權利要求1所述的層疊式半導體封裝,其中每個半導體封裝包括:
基板,具有第五表面、背對該第五表面的第六表面以及連接所述第五表面與所述第六表面的側表面,在所述第五表面上形成有連接墊,以及在所述側表面上形成有所述貫通孔;
半導體芯片,位于所述基板上,且具有與所述連接墊連接的接合墊;以及
模制部件,密封所述基板的包含所述半導體芯片的所述第五表面,并且在其側表面上形成有所述貫通孔。
3.根據權利要求2所述的層疊式半導體封裝,其中所述基板包括形成在所述貫通孔的內壁上的側部墊,其中該貫通孔形成在所述基板的所述側表面。
4.根據權利要求1所述的層疊式半導體封裝,其中所述貫通孔為圓柱狀或者具有至少三個側面的棱柱形狀。
5.根據權利要求1所述的層疊式半導體封裝,其中所述貫通孔的敞開寬度具有小于所述貫通孔的內徑的尺寸,其中所述貫通孔在所述半導體封裝的所述側表面上敞開所述敞開寬度。
6.根據權利要求5所述的層疊式半導體封裝,其中所述貫通孔的所述敞開寬度的尺寸與所述貫通孔的內徑的大約10%至50%相應。
7.根據權利要求1所述的層疊式半導體封裝,其中所述粘接件形成為撓性粘接片。
8.根據權利要求7所述的層疊式半導體封裝,其中所述粘接件使用晶片背面層疊膜、間隔帶以及半固化片中的任意一個形成。
9.根據權利要求1所述的層疊式半導體封裝,其中所述粘接件形成為部分地覆蓋在所述半導體封裝的所述第一表面和所述第二表面敞開的所述貫通孔的橫截面。
10.根據權利要求9所述的層疊式半導體封裝,其中粘接件形成為覆蓋所述貫通孔的橫截面的大約20%至50%。
11.根據權利要求1所述的層疊式半導體封裝,其中所述導電連接件使用焊球形成。
12.一種制備層疊式半導體封裝的方法,包括步驟:
形成多個半導體封裝,每個半導體封裝具有第一表面、背對所述第一表面的第二表面以及連接所述第一表面和所述第二表面的側表面,并且在所述側表面上形成有穿過所述第一表面和所述第二表面的貫通孔;
以部分覆蓋在所述半導體封裝的第二表面敞開的貫通孔的橫截面的方式,將第一粘接件附接到所述半導體封裝的第二表面;
將焊球插入所述貫通孔中;
在形成有主連接墊的主基板上層疊所述半導體封裝,使得所述半導體封裝的所述貫通孔彼此豎直地連接;以及
回流所述焊球,并由此形成電連接所述半導體封裝與所述主連接墊的導電連接件。
13.根據權利要求12所述的方法,其中所述貫通孔通過鉆孔工藝或激光鉆孔工藝形成。
14.根據權利要求12所述的方法,其中所述粘接件形成為覆蓋在所述半導體封裝的第二表面敞開的所述貫通孔的橫截面的大約20%至50%。
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