[發(fā)明專(zhuān)利]一種在鉬基襯底上制備石墨烯薄膜的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110187773.1
• 申請(qǐng)日: 2011-07-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102344131A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳淵文;于廣輝;師小萍;王彬;張燕輝;陳志鎣
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類(lèi)號(hào): C01B31/04
• 分類(lèi)號(hào): C01B31/04
• 代理公司: 上海泰能知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31233
• 代理人: 黃志達(dá);謝文凱

1.一種在鉬基襯底上制備石墨烯薄膜的方法，包括：

將鉬催化劑放入無(wú)氧反應(yīng)器中，使催化劑的反應(yīng)溫度達(dá)到500-1600℃；向無(wú)氧反應(yīng)器反應(yīng)器中通入含碳?xì)怏w，在0.1-760torr下反應(yīng)0.1-9999min，待爐內(nèi)溫度冷卻至室溫，得到含有石墨烯薄膜的鉬金屬襯底；去除鉬催化劑，即得石墨烯薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在鉬基襯底上制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述的鉬催化劑依次用四氯化碳、丙酮、酒精、去離子水超聲清洗，烘干后再使用。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在鉬基襯底上制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述鉬催化劑為單質(zhì)鉬、鉬合金或含鉬化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種在鉬基襯底上制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述單質(zhì)鉬為鉬箔、鉬粉、鉬塊中的一種或幾種的組合；鉬合金為鈦鉬、鋯鉬、鉿鉬、鎢鉬中的一種或幾種的組合；含鉬化合物為氧化鉬、輝鉬、鉬酸鈣、鉬華、鉬酸鉛中的一種或幾種的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的一種在鉬基襯底上制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述鉬催化劑以箔狀、片狀、塊狀形式存在時(shí)，直接在反應(yīng)器中使用；鉬催化劑以粉末狀存在時(shí)，將該鉬催化劑放置或沉積于襯底上使用。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在鉬基襯底上制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述含碳?xì)怏w為一氧化碳、甲烷、乙炔、乙醇、苯、甲苯、環(huán)己烷、酞菁中的一種或幾種的組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在鉬基襯底上制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述降溫速率為0.1℃/s到100℃/s中任意一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在鉬基襯底上制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于：通過(guò)將含有石墨烯薄膜的鉬金屬襯底與酸堿或氧化劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)除去鉬催化劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在鉬基襯底上制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述酸堿或氧化劑為HF、HNO₃，F(xiàn)eCl₃、CuCl₂或KNO₃。