[發(fā)明專利]光刻機掩模的對準掃描方法及對準信號處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110187358.6 | 申請日: | 2011-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN102866603A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳小娟;李運鋒;趙正棟 | 申請(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G03F9/00 | 分類號: | G03F9/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光刻 機掩模 對準 掃描 方法 信號 處理 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路光刻生產(chǎn)過程中的一種對準技術(shù),尤其涉及一種用于光刻機掩模的對準掃描方法及對準信號處理方法。
背景技術(shù)
光刻機是集成電路加工過程中最為關(guān)鍵的設(shè)備。對準是光刻機的主要工藝流程之一,通過掩模、掩模臺、硅片、硅片臺上的特殊標記確定它們之間的相對位置關(guān)系,使掩模圖形能夠精確的成像于硅片上,實現(xiàn)套刻精度。套刻精度是投影光刻機的主要技術(shù)指標之一。對準可分為掩模對準和硅片對準,掩模對準實現(xiàn)掩模與工件臺的相對位置關(guān)系,硅片對準實現(xiàn)硅片與硅片臺的相對位置關(guān)系。掩模與硅片之間的對準精度是影響套刻精度的關(guān)鍵因素。
在掩模對準掃描過程中,掩模標記成像于硅片標記上,硅片標記下方的傳感器檢測光強數(shù)據(jù)。對光強數(shù)據(jù)進行一系列的數(shù)字信號處理,其光強最大值點,即對準點。其信號處理的時間直接影響著對準信號處理的實時性,從而直接影響光刻機的效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是,提供一種提高對準處理速度、更好地實現(xiàn)實時性的光刻機掩模的對準掃描方法及對準信號處理方法。
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種光刻機掩模的對準掃描方法,所述掃描方法為依次進行X軸方向掃描、由X軸方向至Y軸方向的過渡掃描、Y軸方向掃描;其中所述X軸方向及Y軸方向的掃描速度、采樣點數(shù)為固定值,所述過渡掃描的掃描軌跡、掃描速度及采樣點數(shù)為隨機值。
一種光刻機掩模的對準信號處理方法,采用上述對準掃描方法,所述X軸方向的采樣點數(shù)為Nx,所述Y軸方向的采樣點數(shù)為Ny,所述對準信號處理方法包括以下步驟:
步驟101:設(shè)定處理所述光刻機掩模對準信號所采用的擬合方程及擬合方程系數(shù)確定方程;
步驟102:計算已采樣點數(shù)n,獲得采樣點的位置數(shù)據(jù)和對應(yīng)光強數(shù)據(jù);
步驟103:確定X軸方向擬合方程系數(shù)和Y軸方向擬合方程系數(shù),當n小于Nx,每獲得一采樣點,即對采樣點的位置數(shù)據(jù)中和對應(yīng)光強數(shù)據(jù)進行累加計算和數(shù)字處理;當n等于Nx,完成X軸方向掃描,確定X軸方向擬合方程的系數(shù);當n大于(Nx+Ny),每獲得一采樣點,即第(n-Nx)個采樣點,對剩余采樣點的位置數(shù)據(jù)中和對應(yīng)光強數(shù)據(jù)進行累加計算和數(shù)字處理;當掃描采集到標志結(jié)束的采樣點時,完成Y軸方向掃描,確定Y軸方向擬合方程的系數(shù);
步驟104:帶入已確定X軸方向擬合方程系數(shù)和Y軸方向擬合方程系數(shù),根據(jù)X軸方向擬合方程和Y軸方向擬合方程確定光強最大點,即確定X軸方向和Y軸方向?qū)饰恢谩?/p>
針對所述的光刻機掩模的對準信號處理方法,在步驟102中,還包括對采樣點的位置數(shù)據(jù)和對應(yīng)光強數(shù)據(jù)進行卷積濾波處理。
針對所述的光刻機掩模的對準信號處理方法,X軸方向的擬合方程為
I(x)=βx1x2+βx2x+βx3,其中
βx1、βx2、βx3為X軸方向擬合方程的系數(shù),x為位置數(shù)據(jù),I(x)為對應(yīng)光強數(shù)據(jù)。
針對所述的光刻機掩模的對準信號處理方法,所述X軸方向擬合方程系數(shù)確定方程,其矩陣形式為
AX=D,其中
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