[發明專利]一種離子源的絕緣裝置

無效

• 申請號: 201110186465.7
• 申請日: 2011-07-05
• 公開（公告）號: CN102867719A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 胡寶富;唐景庭;伍三忠
• 申請（專利權）人: 北京中科信電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/08
• 分類號: H01J37/08;H01J37/317
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種離子源絕緣裝置，特別適合于半導體工藝設備中的離子注入機。

背景技術

離子注入機是半導體工藝中離子摻雜的典型設備，離子源產生需要摻雜的離子束，離子束再經過質量分析、校正、加速，傳輸到處于靶室終端工藝腔體的硅片表面。

隨著半導體器件集成度越來越高，半導體工藝設備越來越復雜，對離子源的的束流要求也越來越高。對于注入工藝，低能量大速流的離子注入機是發展的方向。適用于該類離子注入機的離子源需要產生寬帶束或扁狀帶束。本發明正是基于應用該類離子源而設計。

發明內容

針對現有半導體工藝中離子注入機設備發展的要求，本發明設計一種用于離子注入機離子源的絕緣裝置。該裝置涉及到一種引出絕緣環，用于離子源與地電位的隔離。引出絕緣環從設計角度保護離子源高電位，實現電隔離。

該裝置亦涉及到引出絕緣環兩端的法蘭聯接方式，該聯接方式是采用一種絕緣材料制造的聯接桿，并將聯接桿陣列分布在引出絕緣環周圍。

該裝置亦設計到一種屏蔽筒設計，其可以防止金屬顆粒進入并附著在引出絕緣環內表面。

本發明有以下幾個顯著特點：

1.絕緣效果明顯；

2.結構簡單，便于加工制造；

附圖說明

圖1是一種用于離子源絕緣裝置組件的正視圖和剖視圖。

圖2是引出絕緣環的正視圖和剖視圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步介紹，但不作為對本發明專利的限定。

本發明公開了一種用于離子注入機的離子源絕緣裝置，如圖1所示，和離子注入機用離子源一起使用。該離子源可以產生寬帶束或扁狀帶束。該裝置為使其正常工作隔離高壓電位和地電位。該裝置主要包括：離子源(1)、法蘭聯接桿(2)、源安裝法蘭(3)、引出絕緣環(4)、源法蘭(5)、屏蔽筒(6)和真空室(7)等。

如圖1所示，引出絕緣環(4)安裝于源安裝法蘭(3)和源法蘭(5)之間，可以很好的保護高壓電位和地電位。如圖2中所示，引出絕緣環(4)采用絕緣材料加工，內表面形成規則起伏的形狀，用于增加表面面積，避免積塵，產生爬電。

源安裝法蘭(3)和源法蘭(5)間利用法蘭聯接桿(2)聯接，法蘭聯接桿(2)采用抗拉強度較強的絕緣材料，并均勻分布在引出絕緣環(4)的周圍。

源安裝法蘭(5)用于安裝離子源(1)，其近引出絕緣環端面呈圓弧狀，以避免其在絕緣環內產生放電現象。

源法蘭(5)用于引出絕緣環(4)聯接真空室(7)。

屏蔽筒(6)安裝與引出絕緣環(4)的內側，固定于源法蘭之上；其呈橢圓形狀，并在非安裝端加工成圓弧狀，以避免其在絕緣環內產生放電現象。

本發明的特定實施例已對本發明的內容做了詳盡說明。對本領域一般技術人員而言，在不背離本發明精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都構成對本發明專利的侵犯，將承擔相應的法律責任。