[發(fā)明專利]隔離腔體及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110186032.1
• 申請(qǐng)日: 2011-07-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102259829A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張挺;謝志峰;邵凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00;B81C3/00;B81B7/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

1.一種隔離腔體的制造方法，包括步驟：

提供第一基底，在所述第一基底上刻蝕形成腔體槽；

提供第二基底，通過(guò)離子注入法在所述第二基底中形成摻雜層，所述第二基底被所述摻雜層從中劃分出一表層基底；

將所述第一基底和所述第二基底面對(duì)面進(jìn)行鍵合，在所述第一基底和所述第二基底之間封閉有腔體；以及

以所述摻雜層為界，將所述表層基底與所述第二基底分割開(kāi)，所述表層基底仍保留于所述第一基底的表面，繼續(xù)與所述第一基底之間構(gòu)成所述腔體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述方法通過(guò)注入H原子、B原子、O原子、C原子、N原子、Ar原子、P原子、Al原子、Si原子、F原子和As原子中的一種或者多種，在所述第二基底中形成摻雜層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，位于所述第二基底表層的所述表層基底的厚度為0.05-5μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，通過(guò)退火工藝將所述表層基底與所述第二基底分割開(kāi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度為150℃-1050℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度為200℃-600℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述第二基底為半導(dǎo)體基底。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述方法在將所述表層基底與所述第二基底分割開(kāi)之后，還包括在所述表層基底上方制造其他半導(dǎo)體器件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的隔離腔體的制造方法，所述其他半導(dǎo)體器件包括壓阻器件、溫阻器件和晶體管。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，在所述表層基底上方制造所述壓阻器件包括步驟：

通過(guò)光刻和離子注入工藝，在所述表層基底中摻雜，形成壓阻條或者溫阻條；以及

通過(guò)金屬的淀積和光刻工藝，在所述表層基底上方形成所述壓阻器件的引線和電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述壓阻條或者溫阻條的形狀、大小或者位置，以及所述引線和/或所述電極的形狀、大小或者位置根據(jù)實(shí)際需求均是可調(diào)節(jié)的。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，在所述第一基底上形成的所述腔體槽的形狀和/或深度根據(jù)實(shí)際需求是可調(diào)節(jié)的。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述腔體的真空度由所述鍵合的工藝決定，包括真空或者常壓。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述第一基底和所述第二基底為相同或者不同的材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述第一基底由多層彼此不同的材料組成。

16.根據(jù)權(quán)利要求7、14或15所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述第二基底為硅材料基底。

17.一種采用上述權(quán)利要求1至16中任一項(xiàng)所述的方法制造的隔離腔體。