[發明專利]半導體器件生產用膜、半導體器件生產用膜的生產方法和半導體器件的生產方法

有效

• 申請號: 201110185003.3
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102347264A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 高本尚英;志賀豪士;淺井文輝
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/78;C09J7/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及半導體器件生產用膜、半導體器件生產用膜的生產方法和半導體器件的生產方法。

背景技術

近年來，日益要求半導體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導體器件及其封裝，已經廣泛地利用其中將半導體元件如半導體芯片通過倒裝芯片接合(倒裝芯片連接的)安裝至基板上的倒裝芯片型半導體器件。在此類倒裝芯片連接中，半導體芯片以其中半導體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的形式固定至基板。在這類半導體器件等中，存在其中半導體芯片的背面受保護膜保護以防止半導體芯片損壞等的情況(參見專利文獻1至10)。

專利文獻1：JP-A-2008-166451

專利文獻2：JP-A-2008-006386

專利文獻3：JP-A-2007-261035

專利文獻4：JP-A-2007-250970

專利文獻5：JP-A-2007-158026

專利文獻6：JP-A-2004-221169

專利文獻7：JP-A-2004-214288

專利文獻8：JP-A-2004-142430

專利文獻9：JP-A-2004-072108

專利文獻10：JP-A-2004-063551

本發明人研究用于保護半導體芯片背面的膜。結果，本發明人發明了通過使用半導體器件生產用膜將膜粘貼至半導體芯片背面的方法，其中各自包括層壓于切割帶上的粘合劑層的多個粘貼粘合劑層的切割帶以預定間隔層壓于隔離膜上。

粘貼粘合劑層的切割帶根據其要粘貼的半導體晶片的形狀(例如，圓形)預切割。粘貼粘合劑層的切割帶當將其粘貼至半導體晶片時從隔離膜剝離。然而，依賴于粘貼粘合劑層的切割帶的物理性質和依賴于設備的條件，發生粘貼粘合劑層的切割帶不能良好地從隔離膜分離的額外問題。

發明內容

考慮到上述問題進行了本發明，并且其目的在于提供半導體器件生產用膜、所述膜的生產方法和通過使用半導體器件生產用膜生產半導體器件的方法，所述半導體器件生產用膜包括隔離膜和多個粘貼粘合劑層的切割帶，所述粘貼粘合劑層的切割帶各自包含層壓于切割帶上的粘合劑層，所述粘貼粘合劑層的切割帶以預定間隔層壓在隔離膜上，其中粘貼粘合劑層的切割帶可有利地從隔離膜剝離。

本發明人出于解決本領域中上述問題的目的研究半導體器件生產用膜。結果，本發明人發現當采用以下構成時，則粘貼粘合劑層的切割帶可有利地從隔離膜剝離，并完成了本發明。

即，本發明提供半導體器件生產用膜，其包括：隔離膜；和多個粘貼粘合劑層的切割帶，所述多個粘貼粘合劑層的切割帶各自包括切割帶和層壓在切割帶上的粘合劑層，所述粘貼粘合劑層的切割帶以粘合劑層粘貼至隔離膜的方式以預定間隔層壓在隔離膜上，其中所述隔離膜具有沿切割帶的外周形成的切口，和其中切口的深度為不超過隔離膜厚度的2/3。

根據上述構造，加工隔離膜以具有沿切割帶外周形成的切口。因此，從切口開始，粘貼粘合劑層的切割帶可容易地從隔離膜剝離。由于切口深度(切割深度)為不超過隔離膜厚度的2/3，所以當粘貼粘合劑層的切割帶從隔離膜剝離時防止隔離膜從切口部分(切口)撕裂。結果，粘貼粘合劑層的切割帶可有利地從隔離膜剝離(拾取)。此處，在本說明書中的術語″切口″是指隔離膜切割至不超出隔離膜厚度的一定厚度的部分。術語″切口″可稱為″凹口(groove)″。

另外，本發明還提供半導體器件生產用膜的生產方法，所述方法包括：制備隔離膜粘貼的膜，所述隔離膜粘貼的膜包括隔離膜和多個粘貼粘合劑層的切割帶，所述粘貼粘合劑層的切割帶各自包括切割帶和層壓在切割帶上的粘合劑層，粘貼粘合劑層的切割帶以粘合劑層粘貼至隔離膜的方式層壓在隔離膜上，和根據對應于隔離膜粘貼的膜要粘貼的半導體晶片的尺寸切割所述隔離膜粘貼的膜，其中將所述隔離膜粘貼的膜從粘貼粘合劑層的切割帶側切割至不超過隔離膜厚度的2/3的深度。