[發明專利]半導體器件生產用膜、半導體器件生產用膜的生產方法和半導體器件的生產方法

有效

• 申請號: 201110185003.3
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102347264A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 高本尚英;志賀豪士;淺井文輝
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/78;C09J7/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種半導體器件生產用膜，其包括：

隔離膜；和

多個粘貼粘合劑層的切割帶，所述多個粘貼粘合劑層的切割帶各自包括切割帶和層壓在所述切割帶上的粘合劑層，所述多個粘貼粘合劑層的切割帶以所述粘合劑層粘貼至所述隔離膜的方式以預定間隔層壓在所述隔離膜上，

其中所述隔離膜具有沿所述切割帶的外周形成的切口，和

其中所述切口的深度為不超過所述隔離膜厚度的2/3。

2.根據權利要求1所述的半導體器件生產用膜的生產方法，所述方法包括：

制備隔離膜粘貼的膜，所述隔離膜粘貼的膜包括隔離膜和多個粘貼粘合劑層的切割帶，所述多個粘貼粘合劑層的切割帶各自包括切割帶和層壓在所述切割帶上的粘合劑層，所述多個粘貼粘合劑層的切割帶以所述粘合劑層粘貼至所述隔離膜的方式層壓在所述隔離膜上，和

根據對應于所述隔離膜粘貼的膜要粘貼的半導體晶片的尺寸切割所述隔離膜粘貼的膜，

其中將所述隔離膜粘貼的膜從所述粘貼粘合劑層的切割帶側切割至不超過所述隔離膜厚度的2/3的深度。

3.一種半導體器件的生產方法，其使用根據權利要求1所述的半導體器件生產用膜，所述方法包括：

從所述半導體器件生產用膜剝離所述隔離膜，和

粘貼半導體晶片至所述粘合劑層上。

4.一種半導體器件生產用膜，其包括：

隔離膜；和

多個切割帶，所述切割帶以預定間隔層壓在隔離膜上，

其中加工所述隔離膜從而具有沿所述切割帶的外周形成的切口，和

其中所述切口的深度為不超過所述隔離膜厚度的2/3。

5.根據權利要求4所述的半導體器件生產用膜的生產方法，所述方法包括：

制備隔離膜粘貼的膜，所述隔離膜粘貼的膜包括隔離膜和層壓在所述隔離膜上的多個切割帶，和

根據對應于所述隔離膜粘貼的膜要粘貼的半導體晶片的尺寸切割所述隔離膜粘貼的膜，

其中將所述隔離膜粘貼的膜從所述切割帶側切割至不超過所述隔離膜厚度的2/3的深度。

6.一種半導體器件的生產方法，其使用根據權利要求4所述的半導體器件生產用膜，所述方法包括：

從所述半導體器件生產用膜剝離所述隔離膜，并粘貼半導體晶片至所述切割帶上。