[發明專利]倒裝芯片型半導體背面用膜及其用途

有效

• 申請號: 201110184672.9
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102344646A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 高本尚英;志賀豪士;淺井文輝
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C08L63/00
• 分類號: C08L63/00;C08L71/12;C08L61/06;C08K3/22;C09J7/02;H01L21/68;H01L21/78
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及倒裝芯片型半導體背面用膜和半導體背面用切割帶集成膜。倒裝芯片型半導體背面用膜用于保護半導體元件如半導體芯片的背面和用于提高其強度。此外，本發明涉及使用半導體背面用切割帶集成膜生產半導體器件的方法，和倒裝芯片安裝的半導體器件。

背景技術

近來，已日益需求薄型化和小型化的半導體器件及其封裝。因此，作為半導體器件及其封裝，已廣泛利用其中半導體元件如半導體芯片借助于倒裝芯片接合安裝(倒裝芯片連接)在基材上的倒裝芯片型半導體器件。在此類倒裝芯片連接中，半導體芯片以半導體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的形式固定至基板。在此類半導體器件等中，可能存在半導體芯片的背面用保護膜保護以防止半導體芯片損壞等的情況(參見，專利文獻1)。可以激光標識背面用膜以增加其產品識別能力(參見，專利文獻2)。

[專利文獻1]JP-A-2007-158026

[專利文獻2]JP-A-2008-166451

隨著半導體技術的發展，半導體器件性能得到日益改進。隨著半導體器件處理速度的增加，由半導體器件產生的熱量趨于增加。在半導體元件如半導體芯片的背面用背面膜覆蓋的情況下，從半導體元件的背面側釋放的熱延遲并且因此產生的熱可能累積在半導體器件中以給予負荷至器件，從而由此縮短產品壽命。針對該背景，可以采取粗糙化背面用膜表面以增加其表面積由此促進熱從背面膜釋放的方法。然而，粗糙化背面膜表面可能產生另一問題，即膜的激光標識性可能惡化，以及其對半導體晶片等的粘合性也可能惡化。

發明內容

考慮到前述問題完成了本發明，其目的在于提供倒裝芯片型半導體背面用膜，當設置于半導體元件的背面上時，可有效地將熱從半導體元件釋放至外部，同時保持其在其表面上的良好激光標識性及其對半導體晶片等的良好的粘合性，和提供包括倒裝芯片型半導體背面用膜的半導體背面用切割帶集成膜。

本發明的另一目的在于，提供用于生產半導體器件的方法，所述半導體器件由于激光標識導致產品識別能力高并且可有效地釋放由其中半導體元件產生的熱從而由此延長產品壽命。

為了解決前述問題，本發明人進行廣泛深入地研究。結果，發明人已發現，當將特定的導熱性填料混入倒裝芯片型半導體背面用膜中時，則可增強膜釋放來自半導體元件的熱的能力，同時原樣保持其良好的激光標識性及其良好的對半導體晶片的粘合性，并且已完成本發明。

即，本發明提供倒裝芯片型半導體背面用膜，其要設置于要倒裝芯片連接至被粘物上的半導體元件的背面上，所述膜包括樹脂和導熱性填料，其中導熱性填料的含量為膜的至少50體積，以及相對于膜的厚度，導熱性填料的平均粒徑為至多30％，并且相對于膜的厚度，導熱性填料的最大粒徑為至多80％。

本發明的倒裝芯片型半導體背面用膜要設置于倒裝芯片連接至被粘物上的半導體元件背面上，由此實現其保護半導體元件的功能。倒裝芯片型半導體背面用膜包含樹脂和導熱性填料，其中導熱性填料的含量為至少50體積％；并且因此，膜自身的導熱性高和膜顯示優異的熱輻射能力，結果，即使當膜設置于半導體元件背面上時，也可有效地將由半導體元件產生的熱釋放至外部。半導體元件背面意指與其上形成電路的表面相對的表面。