[發明專利]倒裝芯片型半導體背面用膜及其用途

有效

• 申請號: 201110184672.9
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102344646A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 高本尚英;志賀豪士;淺井文輝
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C08L63/00
• 分類號: C08L63/00;C08L71/12;C08L61/06;C08K3/22;C09J7/02;H01L21/68;H01L21/78
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種倒裝芯片型半導體背面用膜，所述倒裝芯片型半導體背面用膜要設置于倒裝芯片連接至被粘物上的半導體元件背面上，

所述膜包括樹脂和導熱性填料，

其中所述導熱性填料的含量為所述膜的至少50體積％，和

其中相對于所述膜的厚度，所述導熱性填料的平均粒徑為至多30％，并且相對于所述膜的厚度，所述導熱性填料的最大粒徑為至多80％。

2.根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，其中所述膜具有至少2W/mK的導熱率。

3.根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，其中所述膜在與面向所述半導體元件背面的面相對的面上的表面粗糙度Ra為至多300nm。

4.根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，其中所述導熱性填料的含量為所述膜的50至80體積％，和

其中相對于所述膜的厚度，所述導熱性填料的平均粒徑為10至30％，并且相對于所述膜的厚度，所述導熱性填料的最大粒徑為40至80％。

5.根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，其中所述導熱性填料包括多個具有不同平均粒徑的導熱性填料顆粒。

6.一種半導體背面用切割帶集成膜，其包括：

切割帶；和

根據權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用膜，所述倒裝芯片型半導體背面用膜層壓于所述切割帶上，

其中所述切割帶包括基材和層壓于所述基材上的壓敏粘合劑層，和

其中所述倒裝芯片型半導體背面用膜層壓于所述切割帶的壓敏粘合劑層上。

7.一種半導體器件的生產方法，其使用根據權利要求6所述的半導體背面用切割帶集成膜，所述方法包括：

將半導體晶片粘貼至所述半導體背面用切割帶集成膜的倒裝芯片型半導體背面用膜上，

切割所述半導體晶片以形成半導體元件，

將所述半導體元件與所述倒裝芯片型半導體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和

將所述半導體元件倒裝芯片連接至被粘物上。

8.一種倒裝芯片型半導體器件，其根據權利要求7所述的方法生產。