[發明專利]SiC晶體生長爐測溫窗

有效

• 申請號: 201110183818.8
• 申請日: 2011-07-01
• 公開（公告）號: CN102337592A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 李斌;王花;趙付超;周立平;王英民;高德平;毛開禮;徐偉;田牧;張蕾;喬卿;趙琳
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二研究所
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B35/00;G01J5/00
• 代理公司: 山西科貝律師事務所 14106
• 代理人: 陳奇

技術領域

?本發明涉及一種SiC晶體生長爐的測溫窗，該裝置主要用于SiC晶生長設備中，能夠有效提高SiC晶體生長設備的測溫精度，改善晶體材料質量。

背景技術

目前，SiC晶體生長設備的使用溫度一般都在2200℃左右，在這么高的溫度下，一般的接觸式測溫部件都不能使用，只能依靠光學測溫。光學測溫是通過在設備上開設玻璃觀察窗，通過觀察窗透出的光線進行測溫的。在現有的SiC晶體生長爐中，由于所用的保溫材料非常容易起塵，很容易將晶體生長爐的觀察窗遮蔽，影響到了測溫的準確性，進而影響到了SiC晶體生長設備的正常使用。

發明內容

本發明提供了一種SiC晶體生長爐測溫窗解決了現有SiC晶體生長爐的觀察窗容易被遮蔽從而影響到了測溫的準確性的問題。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種SiC晶體生長爐測溫窗,包括爐體，與爐體的底座固定連接的法蘭，在法蘭的中央設置有與爐體的內部連通的測溫窗孔，在所述的測溫窗孔上固定連接有夾層連接管，在夾層連接管的外層管壁上連有進氣管，在夾層連接管的內層管壁上沿內層管壁間隔地并與水平面平行地設置有一圈小進氣孔，夾層連接管的下端與觀察窗玻璃固定連接在一起，夾層連接管的內層管壁與夾層連接管的外層管壁組成一封閉空間，在夾層連接管的下端的觀察窗玻璃的下方設置有紅外測溫頭。

夾層連接管的下端與觀察窗上法蘭固定連接，在觀察窗上法蘭的下方設置有觀察窗下法蘭，在觀察窗上法蘭與觀察窗下法蘭之間固定設置該觀察窗玻璃。

所述的紅外測溫頭是通過架體固定設置在爐體的底部連接法蘭的下底面上的。

本發明的有益效果是，結構簡單，成本低廉，有效地解決了SiC晶體生長爐測溫窗的遮蔽問題。

附圖說明

圖1是本發明的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明進行說明：

一種SiC晶體生長爐測溫窗,包括爐體1，與爐體1的底座2固定連接的法蘭3，在法蘭3的中央設置有與爐體1的內部連通的測溫窗孔，在所述的測溫窗孔上固定連接有夾層連接管4，在夾層連接管4的外層管壁上連有進氣管5，在夾層連接管4的內層管壁6上沿內層管壁間隔地并與水平面平行地設置有一圈小進氣孔12，夾層連接管4的下端與觀察窗玻璃8固定連接在一起，夾層連接管4的內層管壁與夾層連接管4的外層管壁組成一封閉空間，在夾層連接管4的下端的觀察窗玻璃8的下方設置有紅外測溫頭10。

夾層連接管4的下端與觀察窗上法蘭7固定連接，在觀察窗上法蘭7的下方設置有觀察窗下法蘭9，在觀察窗上法蘭7與觀察窗下法蘭9之間固定設置該觀察窗玻璃8。

所述的紅外測溫頭10是通過架體11固定設置在爐體1的底部連接法蘭3的下底面上的。

通過進氣管5向SiC晶體生長爐內充入工藝所需氣體，充入的氣體首先進入夾層連接管4的內層管壁與夾層連接管4的外層管壁組成的封閉空間內，再通過在夾層連接管4的內層管壁6上設置的一圈小進氣孔12進入到SiC晶體生長爐內，充入氣體通過夾層連接管4在觀察窗玻璃8的上方形成向上的氣流，這樣使SiC晶體生長爐內所產生的粉塵就會隨著上升氣流帶到爐內其它部位，從而使觀察窗玻璃8不被遮蔽。