[發(fā)明專利]SiC晶體生長爐測溫窗有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110183818.8 | 申請日： | 2011-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN102337592A | 公開（公告）日： | 2012-02-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李斌;王花;趙付超;周立平;王英民;高德平;毛開禮;徐偉;田牧;張蕾;喬卿;趙琳 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團公司第二研究所 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B35/00;G01J5/00 |
| 代理公司： | 山西科貝律師事務所 14106 | 代理人： | 陳奇 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sic 晶體生長 測溫 | ||
1.一種SiC晶體生長爐測溫窗,包括爐體（1），與爐體（1）的底座（2）固定連接的法蘭（3），在法蘭（3）的中央設(shè)置有與爐體（1）的內(nèi)部連通的測溫窗孔，其特征在于，在所述的測溫窗孔上固定連接有夾層連接管（4），在夾層連接管（4）的外層管壁上連有進氣管（5），在夾層連接管（4）的內(nèi)層管壁（6）上沿內(nèi)層管壁間隔地并與水平面平行地設(shè)置有一圈小進氣孔（12），夾層連接管（4）的下端與觀察窗玻璃（8）固定連接在一起，夾層連接管（4）的內(nèi)層管壁與夾層連接管（4）的外層管壁組成一封閉空間，在夾層連接管（4）的下端的觀察窗玻璃（8）的下方設(shè)置有紅外測溫頭（10）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC晶體生長爐測溫窗，其特征在于，夾層連接管（4）的下端與觀察窗上法蘭（7）固定連接，在觀察窗上法蘭（7）的下方設(shè)置有觀察窗下法蘭（9），在觀察窗上法蘭（7）與觀察窗下法蘭（9）之間固定設(shè)置該觀察窗玻璃（8）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC晶體生長爐測溫窗，其特征在于，所述的紅外測溫頭（10）是通過架體（11）固定設(shè)置在爐體（1）的底部連接法蘭（3）的下底面上的。
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