[發明專利]鑄錠多晶硅硅片頭尾排序的標識方法無效
| 申請號: | 201110183085.8 | 申請日: | 2011-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN102364699A | 公開(公告)日: | 2012-02-29 |
| 發明(設計)人: | 張馳;劉振淮;熊震;付少永 | 申請(專利權)人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/00 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
| 地址: | 213031 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鑄錠 多晶 硅片 頭尾 排序 標識 方法 | ||
1.一種鑄錠多晶硅硅片頭尾排序的標識方法,其特征在于包括以下步驟:
1)檢測:將開方后的鑄錠多晶硅晶棒進行紅外和少子壽命檢測;
2)截斷:綜合紅外和少子壽命檢測結果確定截斷位置,進行截斷加工;
3)標識:利用激光在截斷后晶棒的表面上進行畫線標識;
4)磨面:將標識后的晶棒進行磨面拋光;
5)倒角:將磨面后的晶棒進行倒角;
6)粘棒:將倒角后的晶棒通過固化膠粘貼在晶托上;
7)切片:將上述晶棒固化一段時間后送入機臺進行切片。
2.如權利要求1所述的鑄錠多晶硅硅片頭尾排序的標識方法,其特征在于: 所述的步驟3)中的標識方法為:任意選擇晶棒一個表面,從頭部或尾部一個角 的頂點出發向其對邊畫線,所述的畫線與對邊的交點不大于整個邊長的1/2,畫 線深度不小于5μm,畫線條數不小于2條。
3.如權利要求1所述的鑄錠多晶硅硅片頭尾排序的標識方法,其特征在于: 所述的步驟6)中膠粘面為非標識面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





