[發(fā)明專利]鑄錠多晶硅硅片頭尾排序的標(biāo)識(shí)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110183085.8
• 申請(qǐng)日: 2011-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN102364699A
• 公開（公告）日: 2012-02-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張馳;劉振淮;熊震;付少永
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L21/00
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所 32211
• 代理人: 路接洲

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種硅片的標(biāo)識(shí)方法，尤其是一種利用激光在硅錠表面上進(jìn)行 標(biāo)識(shí)的方法。

背景技術(shù)

上世紀(jì)70年代以來(lái)，鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，世界 上許多國(guó)家掀起開發(fā)利用太陽(yáng)能的熱潮。晶硅太陽(yáng)電池因其可靠性高、壽命長(zhǎng)、 能承受各種環(huán)境變化等優(yōu)點(diǎn)，成為太陽(yáng)電池的主要品種在光伏市場(chǎng)居統(tǒng)治地位。 就其晶體形態(tài)而言，主要有單晶硅、多晶硅及非晶硅三大類。單晶硅的電池轉(zhuǎn) 換效率高、穩(wěn)定性好，但拉制工藝相對(duì)復(fù)雜，且對(duì)原料要求較嚴(yán)，導(dǎo)致成品電 池成本偏高；非晶硅電池成本低、生產(chǎn)效率高但轉(zhuǎn)換效率也較低，且由于非晶 硅的S-W效應(yīng)，致使其性能穩(wěn)定性較差；與上述兩者相比，多晶硅電池轉(zhuǎn)換效 率接近單晶硅且制造工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、生產(chǎn)效率高，因而得到了迅速發(fā)展， 取代單晶硅成為最主要的太陽(yáng)能電池材料。

鑄錠多晶硅采用定向凝固的方法制備得到，由于摻雜劑硼、磷的分凝，尤 其是過(guò)渡金屬雜質(zhì)的分凝系數(shù)遠(yuǎn)小于1，使得多晶硅沿溫度梯度方向存在微結(jié)構(gòu) 和性能分布的不均勻。在實(shí)際生產(chǎn)中，晶錠開方后頭部(后凝固部分)和尾部(先 凝固部分)難以通過(guò)外觀區(qū)分，切片后各種性能差異較大的頭尾硅片常不加區(qū)分 地一同流入下一步生產(chǎn)，造成后續(xù)的檔位區(qū)分工作量的增加。

目前，現(xiàn)有標(biāo)識(shí)技術(shù)均是在多晶硅晶棒一個(gè)面或多面進(jìn)行多次畫線標(biāo)識(shí)， 這樣會(huì)增加硅棒的損傷，導(dǎo)致在后續(xù)硅片切割過(guò)程中大量碎片。不利于晶錠縱 向的雜質(zhì)濃度、微觀缺陷、少子壽命、電池效率分布規(guī)律的研究和熱場(chǎng)工藝的 改進(jìn)，因此尋找一種合適的硅片頭尾排序的標(biāo)識(shí)方法，確保硅片在晶棒中所處 位置準(zhǔn)確性同時(shí)降低因多次標(biāo)識(shí)而導(dǎo)致的大量碎片，從而減少實(shí)驗(yàn)中不確定性 因素，提高實(shí)驗(yàn)精度。進(jìn)而有利于反映鑄錠熱場(chǎng)對(duì)晶體質(zhì)量的影響，改善鑄錠 工藝提高晶體質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提出一種鑄錠多晶硅硅片頭尾排序的標(biāo)識(shí)方 法，克服硅片在加工后無(wú)法辨別其所在晶棒中準(zhǔn)確位置和因多次標(biāo)識(shí)而導(dǎo)致硅 片在切割過(guò)程中大量碎片的問(wèn)題。

本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為：一種鑄錠多晶硅硅片頭尾排序的標(biāo)識(shí)方法， 包括以下步驟：

1)檢測(cè)：將開方后的鑄錠多晶硅晶棒進(jìn)行紅外和少子壽命檢測(cè)；

2)截?cái)啵壕C合紅外和少子壽命檢測(cè)結(jié)果確定截?cái)辔恢茫M(jìn)行截?cái)嗉庸ぃ?

3)標(biāo)識(shí)：利用激光在截?cái)嗪缶О舻谋砻嫔线M(jìn)行畫線標(biāo)識(shí)；

4)磨面：將標(biāo)識(shí)后的晶棒進(jìn)行磨面拋光；

5)倒角：將磨面后的晶棒進(jìn)行倒角；

6)粘棒：將倒角后的晶棒粘貼在晶托上，此處的膠粘方式使用固化膠粘貼；

7)切片：將上述晶棒固化一段時(shí)間后送入機(jī)臺(tái)進(jìn)行切片。

具體的，所述的步驟3)中的標(biāo)識(shí)方法為：任意選擇晶棒一個(gè)表面，從頭部 或尾部一個(gè)角的頂點(diǎn)出發(fā)向其對(duì)邊畫線，所述的畫線與對(duì)邊的交點(diǎn)不大于整個(gè) 邊長(zhǎng)的1/2，畫線深度不小于5μm，畫線條數(shù)不小于2條。

本發(fā)明所述的步驟6)中膠粘面為非標(biāo)識(shí)面。

本發(fā)明的有益效果是：將鑄錠多晶硅晶棒經(jīng)過(guò)本發(fā)明標(biāo)識(shí)后進(jìn)行切片，最 終根據(jù)線痕在硅片邊緣的位置對(duì)硅片進(jìn)行頭尾排序，結(jié)果可清晰辨別硅片在晶 棒中所處的位置，且碎片率沒(méi)有增加。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是本發(fā)明晶棒表面標(biāo)識(shí)的示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為 簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明 有關(guān)的構(gòu)成。

首先將開方后的鑄錠多晶硅晶棒進(jìn)行紅外和少子壽命檢測(cè)，綜合紅外和少 子壽命檢測(cè)結(jié)果確定截?cái)辔恢茫M(jìn)行截?cái)嗉庸ぁＨ缓罄眉す庠诮財(cái)嗪缶О舻? 表面上進(jìn)行畫線標(biāo)識(shí)。

具體標(biāo)識(shí)的方法如圖1所示，選擇截?cái)嗪蠖嗑Ч杈О舻囊粋€(gè)表面，進(jìn)行激 光畫線。從晶棒頭部的一個(gè)頂點(diǎn)向其對(duì)邊畫線，第一條線與對(duì)邊的交點(diǎn)為邊長(zhǎng) 的1/2，第二條線與對(duì)邊的交點(diǎn)為邊長(zhǎng)的1/4。將標(biāo)識(shí)后的晶棒進(jìn)行磨面、倒角， 選擇非標(biāo)識(shí)面為涂膠面進(jìn)行涂膠粘棒、切片等硅片加工工序，根據(jù)線痕在硅片 邊緣的位置對(duì)加工后的硅片進(jìn)行頭尾排序，結(jié)果可清晰辨別硅片在晶棒中所處 的位置，且碎片率與未標(biāo)識(shí)前相同均為5％。

以上說(shuō)明書中描述的只是本發(fā)明的具體實(shí)施方式，各種舉例說(shuō)明不對(duì)本發(fā) 明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了說(shuō)明書后可以 對(duì)以前所述的具體實(shí)施方式做修改或變形，而不背離發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍。