[發明專利]超薄硅片的切割方法

無效

• 申請號: 201110183082.4
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102363330A
• 公開（公告）日: 2012-02-29
• 發明（設計）人: 李畢武;劉振淮;黃振飛
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 路接洲

技術領域

本發明涉及一種硅片的切割方法，尤其是一種超薄硅片的切割方法。

背景技術

目前在太陽能級硅片切割中，采用的工藝方法一般是：利用鋼線的運動帶 動具有切削能力的SiC砂子對硅棒進行磨削，硅棒最終被加工成硅片。

然而傳統的切割工藝中，具有切削能力的SiC顆粒是通過具有粘附能力的 PEG粘附在切割鋼線表面，由于SiC顆粒在外力情況下可以自由移動，導致在 硅片的不同位置SiC顆粒的不分布不均，這樣對于硅片的表面精度控制比較差， 特別是對于160um厚度以下硅片的精度控制無法達到太陽能級硅片標準要求， 切割成功率非常低。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：提出一種利用多線切割設備切割160μm以下 厚度太陽能級硅片的方法。

本發明所采用的技術方案為：一種超薄硅片的切割方法，包括以下步驟：

1)切片機的導輪槽鋸為0.28～0.30mm，硅片目標厚度120～160μm，切割線 采用固定磨料切割線；

2)將處理好的晶體硅棒裝入切片機，固定好晶棒位置，預機循環；

3)熱機結束后，進行硅片切割，其中臺速為0.3～0.9mm/min，線速度為 0～15m/s，采用雙向切割工藝；

4)切片過程中使用水性切削液，整個切割過程中，切削液一直循環流動；

5)切割結束后，停機、下棒，硅片進行清洗和分選。

具體的說，所述的步驟1)中固定磨料切割線上的固定磨料為高硬度的BC_X、 BN_X、金剛石或硬度大于硅的材料。固定磨料切割線是在普通鋼線上將高硬度的 磨料顆粒電鍍或通過樹脂涂層固定在基體上，直徑范圍在0.1mm～0.3mm。固定 磨料切割線在水性切割液體系下完成超薄硅片切割。

需要說明的是，在整個切割過程中，切削液一直循環流動，以起到潤滑和 散熱作用。

本發明的有益效果是：通過使用固定磨料鋼線可以精確控制硅片的精度， 同時調整合適的臺線速比，可以規模化生產120μm～160μm厚度太陽能級硅 片，提高硅片的出片率10％以上，大大降低光伏發電的硅成本。

具體實施方式

現在結合實施例對本發明作進一步詳細的說明。

一種超薄硅片的切割方法，包括以下步驟：

1)切片機的導輪槽鋸為0.29mm，硅片目標厚度140μm，切割線采用固定 磨料切割線；

2)將處理好的晶體硅棒裝入切片機，固定好晶棒位置，預機循環；

3)熱機結束后，進行硅片切割，其中臺速為0.73mm/min，線速度為10m/s， 采用雙向切割工藝；

4)切片過程中使用水性切削液，整個切割過程中，切削液一直循環流動；

5)切割結束后，停機、下棒，硅片進行清洗和分選。

硅片合格率達到92％。

以上說明書中描述的只是本發明的具體實施方式，各種舉例說明不對本發 明的實質內容構成限制，所屬技術領域的普通技術人員在閱讀了說明書后可以 對以前所述的具體實施方式做修改或變形，而不背離發明的實質和范圍。