[發(fā)明專利]化學(xué)氣相滲透法制備炭-碳化硅復(fù)合材料的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110182762.4
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102344294A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟凡濤;張艷平;魏春城;白佳海;馮柳;牛金葉
• 申請（專利權(quán)）人: 山東理工大學(xué)
• 主分類號: C04B35/83
• 分類號: C04B35/83;C04B35/81;C04B35/622
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種化學(xué)氣相滲透法制備炭-碳化硅復(fù)合材料的方法，基體為碳纖維編制體，其特征在于采用以下步驟：將基體放在沉積室內(nèi)，先沉積炭顆粒作為界面相，再沉積碳化硅晶須制備得炭-碳化硅復(fù)合材料；其中：

在沉積炭顆粒步驟中，沉積室有兩個氣路，一路以甲烷作為反應(yīng)氣，甲烷氣流量控制在200～400ml/min，另一路以氬氣作為稀釋氣，氬氣流量為600～800ml/min，沉積室內(nèi)沉積壓力為6～7kPa，沉積溫度為900～1000℃，沉積時間為3～12h；

在沉積碳化硅晶須步驟中，沉積室的兩個氣路，一路氣是以三氯甲基硅烷為反應(yīng)氣，氫氣為載氣，將甲基三氯硅烷置于水浴加熱的蒸發(fā)釜中，水浴溫度為35～40℃，蒸發(fā)釜的壓力控制在0.2～0.3MPa，氫氣和三氯甲基硅烷總流量控制在200～300ml/min，氫氣通過鼓泡法將甲基三氯硅烷送入沉積室，另一路氣是通入氬氣，氬氣流量為800～900ml/min，采用低壓化學(xué)氣相沉積，沉積室內(nèi)沉積壓力為6～7kPa，沉積溫度為1100～1150℃，沉積時間為1～7天，得炭-碳化硅復(fù)合材料。