[發明專利]空間用反射鏡碳化硅復合膜的制備方法

無效

• 申請號: 201110182092.6
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102242348A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 孟凡濤;鄭明文;魏春城;白佳海;牛金葉;馮柳
• 申請（專利權）人: 山東理工大學
• 主分類號: C23C16/32
• 分類號: C23C16/32;C23C16/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種空間用反射鏡碳化硅復合膜的制備方法，基體為拋光后的反應燒結碳化硅，其特征在于采用以下步驟：將基體放在沉積室內，先沉積碳化硅晶須薄膜，再沉積碳化硅顆粒薄膜，最后拋光，在基體上得到空間用反射鏡碳化硅復合膜；其中：

在沉積碳化硅晶須薄膜步驟中，沉積室有兩個氣路，一路氣是以三氯甲基硅烷為反應氣，氫氣為載氣，將甲基三氯硅烷置于水浴加熱的蒸發釜中，水浴溫度為35～40℃，蒸發釜的壓力控制在0.2～0.3MPa，氫氣和三氯甲基硅烷總流量控制在200～300ml/min，氫氣通過鼓泡法將甲基三氯硅烷送入沉積室，另一路氣是通入氬氣，氬氣氣流量為800～900ml/min，采用低壓化學氣相沉積，沉積室內沉積壓力為6～7kPa，沉積溫度為1100～1150℃，沉積時間為8～48h，在基體表面沉積碳化硅晶須；

在沉積碳化硅顆粒薄膜步驟中，氫氣和三氯甲基硅烷總流量改為300～400ml/min，氬氣氣流量改為500～600ml/min，沉積室內沉積壓力為3～5kPa，沉積時間為8～48h，這樣在碳化硅晶須薄膜上再沉積碳化硅球形顆粒薄膜。