[發(fā)明專利]多圈排列無載體雙IC芯片封裝件及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110181830.5
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102231376A
• 公開（公告）日: 2011-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱文輝;慕蔚;李習(xí)周;郭小偉
• 申請（專利權(quán)）人: 天水華天科技股份有限公司;華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/98
• 代理公司: 甘肅省知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心 62100
• 代理人: 鮮林

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子信息自動化元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到四邊扁平無引腳IC芯片封裝，具體說是一種多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，本發(fā)明還包括該封裝件的生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)????

近年來，隨著移動通信和移動計算機領(lǐng)域便捷式電子元器件的迅猛發(fā)展，小型封裝和高密度組裝技術(shù)得到了長足的發(fā)展；同時，也對小型封裝技術(shù)提出了一系列嚴格要求，諸如，要求封裝外形尺寸盡量縮小，尤其是封裝高度小于1?mm。封裝后的連接可靠性盡可能提高，適應(yīng)無鉛化焊接（保護環(huán)境）和有效降低成本。

QFN(Quad?Flat?No?Lead?Package)?型多圈IC芯片倒裝封裝的集成電路封裝技術(shù)是近幾年發(fā)展起來的一種新型微小形高密度封裝技術(shù)，是最先進的表面貼裝封裝技術(shù)之一。由于無引腳、貼裝占有面積小，安裝高度低等特點，為滿足移動通信和移動計算機領(lǐng)域的便捷式電子機器，如PDA、3G手機、MP3、MP4、MP5等超薄型電子產(chǎn)品發(fā)展的需要應(yīng)用而生并迅速成長起來的一種新型封裝技術(shù)。目前的四邊扁平無引腳封裝件，由于引腳少，即I/O少，滿足不了高密度、多I/O封裝的需要，同時焊線長，影響高頻應(yīng)用。而且QFN一般厚度控制在0.82mm～1.0?mm，滿足不了超薄型封裝產(chǎn)品的需要。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能實現(xiàn)引腳間距為0.65mm～0.?50?mm，I/O數(shù)達200個的高密度封裝四邊扁平無引腳的一種多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，本發(fā)明還提供該封裝件的生產(chǎn)方法。?

本發(fā)明的技術(shù)問題采用下述技術(shù)方案實現(xiàn)：

一種多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，包括引線框架、內(nèi)引腳、IC芯片及塑封體，引線框架四邊呈數(shù)圈排列有引線框架內(nèi)引腳，所述引線框架采用無載體引線框架，所述IC芯片設(shè)有帶凸點的IC芯片和不帶凸點的IC芯片，帶凸點的IC芯片的凸點設(shè)置在第一圈內(nèi)引腳上，帶凸點的IC芯片背面設(shè)有粘片膠或膠膜片，粘片膠或膠膜片上粘接不帶凸點的IC芯片，不帶凸點的IC芯片上的焊盤與第二圈內(nèi)引腳之間焊線連接，形成鍵合線。

所述的繞圈排列的內(nèi)引腳包括第一圈內(nèi)引腳、第二圈內(nèi)引腳、第三圈內(nèi)引腳及第四圈內(nèi)引腳，每圈之間通過中筋和邊筋相連接，同一圈的內(nèi)引腳之間相連接。

所述引線框架每邊的內(nèi)引腳平行排列。

所述引線框架每邊的內(nèi)引腳交錯排列。

所述的IC芯片為倒裝上芯。

上述多圈排列無載體雙IC芯片封裝件的生產(chǎn)步驟如下：

步驟1：?減薄

晶圓減薄厚度100μm～250μm，其中帶凸點芯片的晶圓厚度為250μm，粗磨速度：3μm/?s～6μm/s，精磨速度:0.6μm/s～1.0μm/s；不帶凸點芯片晶圓厚度100μm，粗磨速度：2μm/?s～4μm/s；精磨速度:0.4μm/s～0.8μm/s；?

步驟2：劃片???????????????????????

≤8吋的晶圓采用DISC?3350雙刀劃片機，8吋到12吋晶圓采用A-WD-300TXB劃片機，劃片進刀速度控制在≤10mm/s；

步驟3：上芯

?一次上芯選用無載體框架和帶凸點的IC芯片，采用倒裝上芯；針對一次倒裝上芯的半成品，進行不帶凸點的IC芯片二次上芯,采用AD828/829上芯機，在第一層帶凸點的IC芯片背面先點上粘片膠QMI538，再將芯片吸附粘在其上面,第二層上芯的半成品在150℃下烘烤3小時；

步驟4?：底部填充&固化

對一次倒裝上芯的半成品，選用熱膨脹系數(shù)低α1＜1的絕緣材料，將下填料加熱到80℃～110℃，采用抽真空技術(shù)，將凸點與框架焊盤進行底部填充，最后在QFN通用烘箱中將下填料結(jié)束后的產(chǎn)品烘烤約15分鐘～30分鐘；

步驟5?：壓焊

對第二層無凸點芯片進行焊線壓焊，與第二圈內(nèi)引腳之間采用低弧度鍵合方法焊接，弧高控制在100μm以內(nèi)，形成鍵合線，所采用弧形是防止塑封沖線的高低弧或反打方法；

步驟6?：塑封

選用吸水率≤0.25%、應(yīng)力膨脹系數(shù)α1≤1的低吸濕、低應(yīng)力環(huán)保型塑封；

步驟7：?后固化

使用ESPEC烘箱將塑封后的產(chǎn)品進行后固化，采用QFN防翹曲固化夾具，固化條件：溫度為150℃，時間：5小時；

步驟8?：打印

同常規(guī)QFN打印；

步驟9：?分離引腳

磨削法分離：