[發明專利]一種提高太陽能電池RIE均勻性的制絨設備及方法

無效

• 申請號: 201110180147.X
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN102364662A
• 公開（公告）日: 2012-02-29
• 發明（設計）人: 鐘明
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

技術領域

本發明涉及太陽能電池的RIE制絨設備領域，特別是一種提高太陽能電池 RIE均勻性的制絨設備及方法。

背景技術

反應性離子蝕刻簡稱RIE是結合物理性的離子轟擊與化學反應的蝕刻。此 種方式兼具非等向性與高蝕刻選擇比等雙重優點，蝕刻的進行主要靠化學反應 來達成，以獲得高選擇比。加入離子轟擊的作用有二：一是將被蝕刻材質表面 的原子鍵結破壞，以加速反應速率。二是將再沉積于被蝕刻表面的產物或聚合 物打掉，以使被蝕刻表面能再與蝕刻氣體接觸。而非等向性蝕刻的達成，則是 靠再沉積的產物或聚合物沉積在蝕刻圖形上，在表面的沉積物可為離子打掉， 故蝕刻可繼續進行，而在側壁上的沉積物，因未受離子轟擊而保留下來，阻隔 了蝕刻表面與反應氣體的接觸，使得側壁不受蝕刻，而獲得非等向性蝕刻。通 過調整氣體流量及射頻能量可獲得非常低的反射率，因而可應用于多晶太陽能 電池的制絨工藝上。

RIE制絨工藝是通過等離子體的轟擊和化學反應的刻蝕在硅片表面形成 ＜1um的微小絨面，以降低表面反射率，增加陷光效果，提升電池片的短路電流。 在工業化的生產中，為了提升產能，RIE制絨時一般是多片同時作業，數量可達 100片，而目前的RIE制絨設備的反應氣體只是從反應腔頂部的噴淋頭通入，這 樣會造成在反應時中間與邊緣氣體比例有差別，造成邊緣與中間的反射率相差 較大，批內均勻性很差，工藝調整困難。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種提高太陽能電池RIE均勻性的 制絨設備，改善現有RIE太陽能電池制絨工藝均勻性差問題。

本發明解決其技術問題所采用的方案是：一種提高太陽能電池RIE均勻 性的制絨設備，包括反應腔、頂部氣體管路和噴淋頭，電池片放置在反應腔內， 噴淋頭位于反應腔的頂部，反應氣體通過頂部氣體管路輸送，從噴淋頭進入反 應腔，在反應腔側壁上設置側壁氣體管路，在頂部氣體管路和側壁氣體管路上 都設置單獨的流量控制器，可分別調整流量。

反應腔側壁兩側都設置側壁氣體管路。

一種提高太陽能電池RIE均勻性的方法為：使用該制絨設備，如果邊緣反 射率較高則可增加側壁氣體管路流量，反之則降低側壁氣體管路流量。

側壁氣體流量與噴淋頭氣體流量比例一般為0.5～1.5之間。

本發明的有益效果是：通過本發明可改善RIE制絨工藝的均勻性，增加 工藝的可控性，解決電池性能不穩定的問題。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明；

圖1是本發明的結構示意圖；

圖中，1.頂部氣體管路、2.噴淋頭，3.反應腔側壁，4.電池片，5.側壁氣 體管路，6.流量控制器。

具體實施方式

如圖1所示，該提高太陽能電池RIE均勻性的制絨設備，包括反應腔、頂 部氣體管路1和噴淋頭2，電池片4放置在反應腔內，噴淋頭2位于反應腔的頂 部，反應氣體通過頂部氣體管路1輸送，從噴淋頭2進入反應腔，在反應腔側 壁3上設置側壁氣體管路5，在頂部氣體管路1和側壁氣體管路5上都設置單獨 的流量控制器6，可分別調整流量。反應腔側壁3兩側都設置側壁氣體管路5。

本發明在反應腔側壁3加入側壁氣體管路5，反應氣體可同時從頂部氣體管 路1及側壁氣體管路5流出，通過調節側壁氣體管路5的氣體流量，可調整邊 緣電池片4的反射率。通過調整側壁氣體管路5的氣體流量與噴淋頭2的氣體 流量的比例達到改善均勻性的目的。具體方式為：如果邊緣電池片4的反射率 較高則可增加側壁氣體管路5的氣體流量，反之則降低側壁氣體管路5的氣體 流量。側壁氣體流量根據射頻能量，噴淋頭2與底座距離進行調整，側壁氣體 流量與噴淋頭氣體流量比例一般為0.5～1.5之間。