[發(fā)明專利]樹脂介電層及其材料的制備方法、液晶面板及顯示器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110179460.1
• 申請日: 2011-06-29
• 公開（公告）號: CN102629077A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭建;閔泰燁;陳旭;謝振宇;張文余
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G03F7/039
• 分類號: G03F7/039;G03F7/038;H01L21/312;G02F1/1362;G03F7/00
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種樹脂介電層及其材料的制備方法、液晶面板及顯示器件。

背景技術(shù)

在半導體制造過程中，通常需要經(jīng)過多次沉積工藝以形成不同的膜層。例如，涉及半導體制造過程的印刷電路板的制造過程、以及薄膜晶體管液晶顯示器的液晶面板的制造過程等，均需要經(jīng)過多次的沉積工藝。

以液晶面板為例而言，薄膜晶體管液晶顯示器的液晶面板包括陣列基板和彩膜基板，在薄膜晶體管液晶顯示器的制程中可以分別單獨制作陣列基板和彩膜基板，然后再將陣列基板和彩膜基板對盒并填充液晶，以形成液晶面板。其中，在陣列基板的制造過程中，可以通過多次構(gòu)圖工藝(構(gòu)圖工藝中包括沉積工藝)，在空白基板上依次形成柵線、薄膜晶體管的柵極；柵絕緣層；垂直于所述柵線的數(shù)據(jù)線，以及薄膜晶體管的有源層、源極、漏極和溝道；鈍化層；像素電極；等。其中，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述薄膜晶體管和像素電極形成在所述像素區(qū)域內(nèi)，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接。

但是目前像素電極所在的層和數(shù)據(jù)線所在的層之間僅設(shè)有一層用于絕緣的鈍化層，該鈍化層通常由SiNx等材料制成，其介電常數(shù)較高，因此使得在像素電極和數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生較強的電容效應(yīng)，該較強的電容效應(yīng)容易在像素電極和數(shù)據(jù)線之間引發(fā)不良。類似地，在其他產(chǎn)品的不同膜層之間，通常也會由于該不同膜層之間的膜層的介電常數(shù)較高而引發(fā)各種不良。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供一種樹脂介電層及其材料的制備方法、液晶面板及顯示器件，以提高降低的介電常數(shù)。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

一種樹脂介電層材料的制備方法，包括：

步驟11，合成單體樹脂；

步驟12，將合成的單體樹脂添加到有機溶劑中，攪拌使合成的單體樹脂在有機溶劑中溶解，以制得樹脂介電層材料。

一種樹脂介電層的制備方法，包括：

步驟21，在基板上涂覆如上所述的方法制備的樹脂介電層材料，形成樹脂介電層薄膜；

步驟22，對樹脂介電層薄膜進行熱固化，形成樹脂介電層。

一種液晶面板，包括對盒的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹脂介電層，所述樹脂介電層由如上所述的方法制備的樹脂介電層材料制成。

一種液晶顯示器件，包括殼體，所述殼體內(nèi)設(shè)有液晶面板，所述液晶面板包括對盒的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹脂介電層，所述樹脂介電層由如上所述的方法制備的樹脂介電層材料制成。

本發(fā)明實施例提供的樹脂介電層及其材料的制備方法、液晶面板及顯示器件，由于樹脂本身的介電常數(shù)較低，因此能夠在不同的膜層之間提供降低的介電常數(shù)，并進而可以減少由于不同膜層之間的膜層的介電常數(shù)較高而引發(fā)各種不良。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例樹脂介電層材料制備方法的示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例樹脂介電層制備方法的示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例液晶面板中陣列基板的示意圖；

圖3a為圖3中A3-A3方向的截面圖。

附圖標記：

1-基板，2-柵線，5-數(shù)據(jù)線，7-樹脂介電層，8-像素電極，10-公共電極，11-薄膜晶體管，11a-柵極、11b-源極、11c-漏極。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例樹脂介電層及其材料的制備方法、液晶面板及顯示器件進行詳細描述。